米IBM、ソニー、東芝の3社は1月12日、32ナノメートル以降の次世代半導体技術に関し、基礎研究を含む共同開発契約を締結したと発表した。契約期間は5年間となる。
3社およびソニー・コンピュータエンタテインメントは、2001年3月よりCellマイクロプロセッサの設計と開発を目的とし、90ナノおよび65ナノメートルプロセスを用いたシリコン・オン・インシュレータ（SOI）技術を中心に共同開発を進めてきた。SOIとは、絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基盤とする半導体や半導体技術のことを指す。
今回新たな契約を結んだことで3社は、次世代半導体のプロセス開発に向けた要素技術開発をはじめとする基礎研究から共同で実施する。研究は、米国ニューヨーク州ヨークタウンのIBMワトソン研究所や、アルバニーのナノテク半導体リサーチセンター、イーストフィッシュキルのIBM 300ミリメートル半導体製造施設にて行う。東芝やソニーのエンジニアも米国に派遣されることになるが、人員規模は明らかにされていない。
32ナノメートル以降の次世代半導体は、実用化されるのが2009年以降と予測されている。3社では、各社の得意分野を生かし、コンシューマー市場や他のアプリケーションに求められる新技術を早期に探求、明確化し、商品化に結び付けたいとしている。
