IBMの研究者らが、相変化メモリ（PCM）の開発でブレークスルーを達成した。DRAM並みの速度と耐久性を有し、同程度の記録密度のフラッシュメモリに近い低価格で製造できるストレージ性能を実現したのだ。
同社の研究チームはスイスのチューリッヒで現地時間5月17日、PCMにセルあたり3ビットのデータを保持させることに成功し、セルあたり1ビットというこれまでの記録を塗り換えたと発表した。
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PCMは現在利用可能なメモリに比べると、明らかな利点をいくつか有している。例を挙げると、電源をオフにしてもDRAMのようにデータが消えて無くなることはない。また、最大書き込み回数は少なくとも1000万回に及んでいる（一般的なUSBメモリはおよそ3000回）。
IBMは、PCM単独での利用にとどまらず、フラッシュストレージと組み合わせた利用も想定していると述べている。
PCMは、ガラスによく似た素材に流す電流の量を変えることで実現される。ビットデータは、大きな、あるいは中程度の電流を素材に流すことで記録される。保存されているデータを読み出すには低い電圧を印加することになる。これは、書き換え可能なBlu-rayディスクでビデオを録画する方法とよく似ている。
IBMの研究者らは、単一セルに複数ビットの情報を保持させるために、ドリフトの影響を受けないセル状態のメトリクスとともに、ドリフト耐性を持つ誤り検出および訂正手段を開発した。
この記事は海外CBS Interactive発の記事を朝日インタラクティブが日本向けに編集したものです。
