主要研究開発プログラムが、
CMOSプラットフォームと特定用途向けの付加価値派生技術における
欧州の主導的地位を確立
世界を代表する半導体メーカーの1社であるSTマイクロエレクトロニクス
（NYSE：STM、以下ST）と、フランスのCEA-LETI（フランス原子力庁 電子・
情報技術研究所）は、「Nano2012」研究開発プログラムの正式スタートにあたり、
フランスの経済・産業・雇用大臣であるChristine Lagarde氏、フランス政府 /
地方自治体の代表、そしてCEA-LETIおよびSTの経営陣が、グルノーブル（フランス）
近郊にあるSTのクロル工場にて一同に会し、祝賀式典を開催したことを発表しま
した。この式典には、重要な技術開発契約を通して、STおよびCEA-LETIの両社の
主要パートナーであるIBM社の代表も出席しました。
「Nano2012」は、STが主導する官民共同の戦略的研究開発プログラムで、
研究機関と産業界のパートナーが結集し、フランス政府 / 地方自治体によって
サポートされています。このプログラムの目的は、シリコン・チップの製造に
使用されるプロセスノードが数十ナノメートル（10億分の1メートル）程度にな
る中、ナノエレクトロニクス・レベルの次世代半導体技術の開発において、
世界で最も先進的な研究開発クラスタの1つを構築することです。
「Nano2012」は、CATRENE (Cluster for Application and Technology Research in Europe
：欧州の応用と技術研究のためのクラスタ)のような他の主要共同プログラムと共に、
32nmから22nmまでの最先端CMOSテクノロジーへのアクセスの提供により、
ヨーロッパ電子産業界の強さの持続に大きく貢献します。
「Nano2012」の取り組みは、2008年1月1日に開始されました。2012年12月31日ま
での5年間に亘って実施される同プログラムは、資金の一部（4億5700万ユーロ）
をフランスの公的機関が提供しています。このプログラムには、
INRIA（フランス国立情報学自動制御研究所）、CNRS（フランス国立科学研究
センター）、大学、および多数の中小企業など、その他のパートナーも参加して
います。
STとCEA-LETIには、1992年のクロル研究開発センターの設立を含め、
共同研究開発の長い歴史があります。トップクラスの研究機関であるCEA-LETIは、
長期的な学術研究とSTの市場主導型の研究開発との間をつなぐ必要不可欠な
橋渡しの役割を果たしています。2007年7月、STはニューヨーク州イースト・
フィッシュキルとアルバニーのIBM半導体研究開発センターを中心とした、
コアおよび低電力CMOSプロセス（32～22nm）の開発を行う半導体共同開発
アライアンスに加盟し、IBMはSTと合同でクロル工場において特定用途向けに
付加価値のあるCMOS派生技術を開発することになりました。さらに、
CMOSテクノロジーに必要となる材料・プロセス開発に関して強力で相補的な
専門知識を持つCEA-LETIとIBM社は、CEA-LETIのグルノーブル・サイト
（フランス）、IBM社のイースト・フィッシュキル工場（米国）、STの
クロル工場（フランス）、およびAlbany NanoTech研究センター（米国）に
おいて、22nm以降の先進的プロセスの研究開発を共同で行っています。
「Nano2012」が開始された2008年1月以来、STとIBM社は、クロル工場とイースト・
フィッシュキル工場の間で研究者の交流を行っています。そして、CMOSプロセス
（32nmおよび28nm）、ワイヤレス向けRF派生技術（45nm）、車載および
スマートカード向け不揮発性メモリ派生技術（65nm）を含む様々な主要
プログラムに関して、CEA-LETIの研究者と共に共同研究を進めています。
これらのテクノロジーは、通信、コンスーマ、コンピュータ、および
車載アプリケーションの分野で、省電力化、バッテリ動作の長時間化、動作の
高速化を可能にし、より多くの機能と利便性をユーザに提供する、
エキサイティングな新製品を実現します。
「Nano2012」は、低電力および特定用途向けCMOS派生技術のための技術
プラットフォーム開発に注力しています。技術プラットフォームには、数十億個
のトランジスタを単一のシリコン・チップ上に集積化する製造プロセスに加え、
そのプロセスを使って最先端の回路を効率的に設計するための部品ライブラリ
および設計の方法論が含まれています。STとパートナー各社は、クロルおよび
グルノーブル地域に拠点を置く世界トップクラスのチームによって、既にこの
分野における世界的リーダーの一員です。「Nano2012」の主な目標の1つは、
このリーダーシップをさらに拡大することです。
特定用途向けに付加価値のある派生技術は、標準CMOS技術と比較した場合、主要
な差別化点になります。グルノーブル・イゼール地域を拠点とする研究開発
クラスタが、この分野の世界的リーダーとしての地位を持続することは、
「Nano2012」の重要な目標の1つになっています。
本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
(リンク »)
CEA-LETIについて
CEA(フランス原子力庁)はフランスの公的な研究技術機関であり、エネルギー、
情報・医療技術、防衛とセキュリティいう、3つの主要分野で活動を展開してい
ます。CEAの1部門であるLETI（電子・情報技術研究所）は、技術革新と技術移管
を通して企業の競争力を高めるため、各社と共同作業を行っています。LETIは、
ワイヤレス機器やシステムから、バイオ、医療、フォトニクスまで、マイクロお
よびナノテクノロジーと応用に注力しており、ナノエレクトロニクスと
マイクロシステム（MEMS）が、その活動の中核になっています。LETIは、
MINATEC(R)（マイクロエレクトロニクス・ナノテクロノジー・イノベーション・
センター）の主要プレーヤとして、200mmおよび300mmウェハ規格に基づく
8,000m2最新鋭クリーン・ルームを1日24時間/週7日稼働させています。
従業員数1200名強のLETIでは、博士課程の学生150人以上が研修を行っており、
パートナー企業からの出向者200人が勤務しています。産業における価値創出に
全力で取り組むLETIは、知的財産に大きな比重を置いており、1400以上の特許
ファミリを所有しています。2008年、約2億1000万ユーロの予算の75％以上を
契約による収入で補いました。
詳細については、 (リンク ») をご覧ください。
IBMについて
詳細については、 (リンク ») をご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な
半導体ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。
STは、高度な技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。
2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: (リンク »)
STグループ（英語）: (リンク »)
注記
ナノエレクトロニクスについて
ナノエレクトロニクスとは、100ナノメートル（nm）以下の大きさの電子構造を
表記するために使われる用語で、絶えず小型化とそれに伴う高性能化が進む
半導体デバイスの製造も含まれています。ナノエレクトロニクス構造の小型化と、
構造間の相互作用に対する理解と利用には課題があり、さらなる進歩のためには、
多専門的なアプローチ、高度な研究・生産施設、そして将来的な産業指向の
研究と、地域、加盟国およびEUレベルの公的サポートが必要になります。
CMOSテクノロジーについて
半導体技術は長年に亘り、車載システムやファクトリ・オートメーションから、
PC、携帯電話、コンスーマ・マルチメディア機器まで、すべてのエレクトロニク
ス・アプリケーションの進歩にとって不可欠な原動力であると考えられてきまし
た。特にCMOS（相補性金属酸化膜半導体）と呼ばれる半導体テクノロジーは、
極めて重要な役割を果たしており、世代が新しくなる毎に複雑な電子回路を構成
するトランジスタの面積が50％縮小し、その結果、ICの製造コストの低下、
低消費電力化、動作の高速化が可能になります。CMOSテクノロジーの世代は、
その世代で製造できる特徴的な最小の造作サイズを基準として示されます。
例えば、現在の最先端回路で使用されている45nm世代（45nmノード）の場合、
最小メモリ・セルのハーフ・ピッチが45nmすなわち1メートルの10億分の45です。
なお、人間の髪の毛の直径は、一般的に約5万nmです。
特定用途向けに付加価値のある派生技術について
特定用途向けに付加価値のある派生技術は、標準CMOSテクノロジーを拡張するこ
とで、特定の種類のアプリケーションに向けて最適化したものです。それにより、
チップの機能と性能に関して根本的な違いが生まれます。例えば、車載用の
エンジン制御ユニットには、極めて複雑な数値計算をリアルタイムで実行できる
コントローラが必要ですが、それに加えて、カー・バッテリが上がった場合でも
重要なデータとパラメータを保存する必要があります。そのため、コアCMOS
プロセスに変更を加え、1ブロックのFlashメモリをチップに集積した、組込み
不揮発性メモリと呼ばれる派生技術が必要になります。
クロル工場では、プログラムの一環として開発された複数の特定用途向け派生
技術により、幅広いアプリケーション向けのチップに特定のメモリを組み込むこ
とが可能です。対象アプリケーションは、スマート・カードから車載または
航空宇宙システムまで多岐にわたります。その他の特定用途向け派生技術として
は、カメラ付き携帯などのイメージング分野、BluetoothチップなどのRF分野、
携帯型デバイスのバッテリ動作時間を最大化するパワー・マネージメント、
あるいは埋め込み型医療機器、航空宇宙分野、銀行や証券取引所のコンピュータ
等の障害が財務上の重大な結果を招くため安全性が極めて重要になるシステム、
最小のダウンタイムで継続的に動作することが期待されるインターネット・
ルータに最適化されたものなどがあります。
CMOSプラットフォームと特定用途向けの付加価値派生技術における
欧州の主導的地位を確立
世界を代表する半導体メーカーの1社であるSTマイクロエレクトロニクス
（NYSE：STM、以下ST）と、フランスのCEA-LETI（フランス原子力庁 電子・
情報技術研究所）は、「Nano2012」研究開発プログラムの正式スタートにあたり、
フランスの経済・産業・雇用大臣であるChristine Lagarde氏、フランス政府 /
地方自治体の代表、そしてCEA-LETIおよびSTの経営陣が、グルノーブル（フランス）
近郊にあるSTのクロル工場にて一同に会し、祝賀式典を開催したことを発表しま
した。この式典には、重要な技術開発契約を通して、STおよびCEA-LETIの両社の
主要パートナーであるIBM社の代表も出席しました。
「Nano2012」は、STが主導する官民共同の戦略的研究開発プログラムで、
研究機関と産業界のパートナーが結集し、フランス政府 / 地方自治体によって
サポートされています。このプログラムの目的は、シリコン・チップの製造に
使用されるプロセスノードが数十ナノメートル（10億分の1メートル）程度にな
る中、ナノエレクトロニクス・レベルの次世代半導体技術の開発において、
世界で最も先進的な研究開発クラスタの1つを構築することです。
「Nano2012」は、CATRENE (Cluster for Application and Technology Research in Europe
：欧州の応用と技術研究のためのクラスタ)のような他の主要共同プログラムと共に、
32nmから22nmまでの最先端CMOSテクノロジーへのアクセスの提供により、
ヨーロッパ電子産業界の強さの持続に大きく貢献します。
「Nano2012」の取り組みは、2008年1月1日に開始されました。2012年12月31日ま
での5年間に亘って実施される同プログラムは、資金の一部（4億5700万ユーロ）
をフランスの公的機関が提供しています。このプログラムには、
INRIA（フランス国立情報学自動制御研究所）、CNRS（フランス国立科学研究
センター）、大学、および多数の中小企業など、その他のパートナーも参加して
います。
STとCEA-LETIには、1992年のクロル研究開発センターの設立を含め、
共同研究開発の長い歴史があります。トップクラスの研究機関であるCEA-LETIは、
長期的な学術研究とSTの市場主導型の研究開発との間をつなぐ必要不可欠な
橋渡しの役割を果たしています。2007年7月、STはニューヨーク州イースト・
フィッシュキルとアルバニーのIBM半導体研究開発センターを中心とした、
コアおよび低電力CMOSプロセス（32～22nm）の開発を行う半導体共同開発
アライアンスに加盟し、IBMはSTと合同でクロル工場において特定用途向けに
付加価値のあるCMOS派生技術を開発することになりました。さらに、
CMOSテクノロジーに必要となる材料・プロセス開発に関して強力で相補的な
専門知識を持つCEA-LETIとIBM社は、CEA-LETIのグルノーブル・サイト
（フランス）、IBM社のイースト・フィッシュキル工場（米国）、STの
クロル工場（フランス）、およびAlbany NanoTech研究センター（米国）に
おいて、22nm以降の先進的プロセスの研究開発を共同で行っています。
「Nano2012」が開始された2008年1月以来、STとIBM社は、クロル工場とイースト・
フィッシュキル工場の間で研究者の交流を行っています。そして、CMOSプロセス
（32nmおよび28nm）、ワイヤレス向けRF派生技術（45nm）、車載および
スマートカード向け不揮発性メモリ派生技術（65nm）を含む様々な主要
プログラムに関して、CEA-LETIの研究者と共に共同研究を進めています。
これらのテクノロジーは、通信、コンスーマ、コンピュータ、および
車載アプリケーションの分野で、省電力化、バッテリ動作の長時間化、動作の
高速化を可能にし、より多くの機能と利便性をユーザに提供する、
エキサイティングな新製品を実現します。
「Nano2012」は、低電力および特定用途向けCMOS派生技術のための技術
プラットフォーム開発に注力しています。技術プラットフォームには、数十億個
のトランジスタを単一のシリコン・チップ上に集積化する製造プロセスに加え、
そのプロセスを使って最先端の回路を効率的に設計するための部品ライブラリ
および設計の方法論が含まれています。STとパートナー各社は、クロルおよび
グルノーブル地域に拠点を置く世界トップクラスのチームによって、既にこの
分野における世界的リーダーの一員です。「Nano2012」の主な目標の1つは、
このリーダーシップをさらに拡大することです。
特定用途向けに付加価値のある派生技術は、標準CMOS技術と比較した場合、主要
な差別化点になります。グルノーブル・イゼール地域を拠点とする研究開発
クラスタが、この分野の世界的リーダーとしての地位を持続することは、
「Nano2012」の重要な目標の1つになっています。
本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
(リンク »)
CEA-LETIについて
CEA(フランス原子力庁)はフランスの公的な研究技術機関であり、エネルギー、
情報・医療技術、防衛とセキュリティいう、3つの主要分野で活動を展開してい
ます。CEAの1部門であるLETI（電子・情報技術研究所）は、技術革新と技術移管
を通して企業の競争力を高めるため、各社と共同作業を行っています。LETIは、
ワイヤレス機器やシステムから、バイオ、医療、フォトニクスまで、マイクロお
よびナノテクノロジーと応用に注力しており、ナノエレクトロニクスと
マイクロシステム（MEMS）が、その活動の中核になっています。LETIは、
MINATEC(R)（マイクロエレクトロニクス・ナノテクロノジー・イノベーション・
センター）の主要プレーヤとして、200mmおよび300mmウェハ規格に基づく
8,000m2最新鋭クリーン・ルームを1日24時間/週7日稼働させています。
従業員数1200名強のLETIでは、博士課程の学生150人以上が研修を行っており、
パートナー企業からの出向者200人が勤務しています。産業における価値創出に
全力で取り組むLETIは、知的財産に大きな比重を置いており、1400以上の特許
ファミリを所有しています。2008年、約2億1000万ユーロの予算の75％以上を
契約による収入で補いました。
詳細については、 (リンク ») をご覧ください。
IBMについて
詳細については、 (リンク ») をご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な
半導体ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。
STは、高度な技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。
2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: (リンク »)
STグループ（英語）: (リンク »)
注記
ナノエレクトロニクスについて
ナノエレクトロニクスとは、100ナノメートル（nm）以下の大きさの電子構造を
表記するために使われる用語で、絶えず小型化とそれに伴う高性能化が進む
半導体デバイスの製造も含まれています。ナノエレクトロニクス構造の小型化と、
構造間の相互作用に対する理解と利用には課題があり、さらなる進歩のためには、
多専門的なアプローチ、高度な研究・生産施設、そして将来的な産業指向の
研究と、地域、加盟国およびEUレベルの公的サポートが必要になります。
CMOSテクノロジーについて
半導体技術は長年に亘り、車載システムやファクトリ・オートメーションから、
PC、携帯電話、コンスーマ・マルチメディア機器まで、すべてのエレクトロニク
ス・アプリケーションの進歩にとって不可欠な原動力であると考えられてきまし
た。特にCMOS（相補性金属酸化膜半導体）と呼ばれる半導体テクノロジーは、
極めて重要な役割を果たしており、世代が新しくなる毎に複雑な電子回路を構成
するトランジスタの面積が50％縮小し、その結果、ICの製造コストの低下、
低消費電力化、動作の高速化が可能になります。CMOSテクノロジーの世代は、
その世代で製造できる特徴的な最小の造作サイズを基準として示されます。
例えば、現在の最先端回路で使用されている45nm世代（45nmノード）の場合、
最小メモリ・セルのハーフ・ピッチが45nmすなわち1メートルの10億分の45です。
なお、人間の髪の毛の直径は、一般的に約5万nmです。
特定用途向けに付加価値のある派生技術について
特定用途向けに付加価値のある派生技術は、標準CMOSテクノロジーを拡張するこ
とで、特定の種類のアプリケーションに向けて最適化したものです。それにより、
チップの機能と性能に関して根本的な違いが生まれます。例えば、車載用の
エンジン制御ユニットには、極めて複雑な数値計算をリアルタイムで実行できる
コントローラが必要ですが、それに加えて、カー・バッテリが上がった場合でも
重要なデータとパラメータを保存する必要があります。そのため、コアCMOS
プロセスに変更を加え、1ブロックのFlashメモリをチップに集積した、組込み
不揮発性メモリと呼ばれる派生技術が必要になります。
クロル工場では、プログラムの一環として開発された複数の特定用途向け派生
技術により、幅広いアプリケーション向けのチップに特定のメモリを組み込むこ
とが可能です。対象アプリケーションは、スマート・カードから車載または
航空宇宙システムまで多岐にわたります。その他の特定用途向け派生技術として
は、カメラ付き携帯などのイメージング分野、BluetoothチップなどのRF分野、
携帯型デバイスのバッテリ動作時間を最大化するパワー・マネージメント、
あるいは埋め込み型医療機器、航空宇宙分野、銀行や証券取引所のコンピュータ
等の障害が財務上の重大な結果を招くため安全性が極めて重要になるシステム、
最小のダウンタイムで継続的に動作することが期待されるインターネット・
ルータに最適化されたものなどがあります。
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お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。
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