2015年7月16日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。
中国、上海（モバイル・ワールド・コングレス上海）-フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、最新の2つのブロードバンドRFパワー・アンプ、Airfast AFIC901N LDMOS RF統合デバイスとAFT05MS003N LDMOSトランジスタを発表しました。この2つの製品は3.6Vまたは7.5Vで動作し、広帯域な無線周波数をカバーしバッテリ寿命の効率性が最も重要な設計要件となるアプリケーションでの利用に最適です。
たとえば、アナログからデジタル変調方式への移行時期を迎えているモバイル無線システムは、通常は無線方式の再設計が必要となります。フリースケールの最新のRFパワー・デバイスは傑出した効率性を備えており、陸上移動無線のOEM各社はこのトランジスタの性能を活用してバッテリ寿命の延長を実現することができます。さらに、高ゲインの最新デバイスにより必要なトランジスタ数の削減が可能になるため、システム・コストを最小限に抑えられます。無線設計者は、提供されるリファレンス回路を利用して自社製品の市場投入を最短の期間で達成することも可能です。
フリースケールのAirfast AFIC901N LDMOS RF統合デバイスおよびAFT05MS003N LDMOSトランジスタはさまざまな課題を解消するべく設計され、136～941MHzという幅広い周波数帯域をカバーします。また、高効率と高ゲインを特長とする小型で軽量のオーバモールド・プラスチック・パッケージで提供され、きわめて高い耐反射特性（65:1以上のVSWR）により堅牢性に優れた携帯型無線機を実現することができます。
このトランジスタは、169MHz、434MHz、または868MHzで稼働する自動検針装置といったアプリケーション向けのフリースケール・マイクロコントローラとの併用に適しており、優れた費用対効果によりアプリケーションの通信範囲を拡大します。それ以外のマシン・ツー・マシン・アプリケーションやSCADA（Supervisory Control And Data Acquisition）システムにも理想的です。
2ステージ構成のAFIC901N LDMOSデバイスは、1W CWのRF出力パワーにより136～174MHzのVHF周波数範囲で63%の効率と30dBのゲインを達成します。4 × 4mmサイズのQFNパッケージのこのデバイスはわずか0dBmの入力から30dBmの最大定格出力を発揮するため、前置増幅器が必要ありません。AFIC901Nは、入力、出力、およびその中間レベルでデバイス外のRFに適合可能な柔軟性を備えています。そのため、設計者は回路ボード上の一部のディスクリート部品を変更するだけで、さまざまな無線帯域を含めて目的のシステム要件に応じてデバイスを最適化することが可能です。
シングルステージのAFT05MS003NのCW出力は3Wで、VHF帯域の17dBのゲインと67%の効率により136～941MHzの範囲をカバーし、きわめて優れた入力と出力を備えています。パッケージはSOT-89オーバモールド・プラスチック・パッケージです。この最新のトランジスタは、1～75WのモバイルおよびM2M無線アプリケーションを対象とするフリースケールAirfastトランジスタ・ポートフォリオ（7.5～12.5VDC）の製品です。
供給
AFT05MS003Nは現在量産出荷中、AFIC901Nは現在サンプル出荷中です。いずれの製品も、VHF（135～175MHz）アプリケーションおよびUHF（350～520MHz）アプリケーション向けサンプルとリファレンス・デザインが用意されています。価格などの詳しい情報については、フリースケールの販売代理店にお問い合わせになるかwww.freescale.com/RFのWebサイトをご覧ください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、セキュアな組込みプロセッシング・ソリューションによって”Internet of Tomorrow”（モノのインターネットの先にある、よりセキュアなIoTソリューション）を実現します。フリースケールのソリューションは、より革新的で、世界を繋ぎ、私たちの生活をシンプルで安全なものにします。また、世界的な企業の役割として、次世代のイノベータを育むために、科学・技術・工学・数学（STEM）教育に貢献することを約束します。詳細は、 (リンク ») のWebサイトをご覧ください。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc.,Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
(C)2015フリースケール・セミコンダクタ・インク
プレスリリース提供：PRTIMES (リンク »)
中国、上海（モバイル・ワールド・コングレス上海）-フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、最新の2つのブロードバンドRFパワー・アンプ、Airfast AFIC901N LDMOS RF統合デバイスとAFT05MS003N LDMOSトランジスタを発表しました。この2つの製品は3.6Vまたは7.5Vで動作し、広帯域な無線周波数をカバーしバッテリ寿命の効率性が最も重要な設計要件となるアプリケーションでの利用に最適です。
たとえば、アナログからデジタル変調方式への移行時期を迎えているモバイル無線システムは、通常は無線方式の再設計が必要となります。フリースケールの最新のRFパワー・デバイスは傑出した効率性を備えており、陸上移動無線のOEM各社はこのトランジスタの性能を活用してバッテリ寿命の延長を実現することができます。さらに、高ゲインの最新デバイスにより必要なトランジスタ数の削減が可能になるため、システム・コストを最小限に抑えられます。無線設計者は、提供されるリファレンス回路を利用して自社製品の市場投入を最短の期間で達成することも可能です。
フリースケールのAirfast AFIC901N LDMOS RF統合デバイスおよびAFT05MS003N LDMOSトランジスタはさまざまな課題を解消するべく設計され、136～941MHzという幅広い周波数帯域をカバーします。また、高効率と高ゲインを特長とする小型で軽量のオーバモールド・プラスチック・パッケージで提供され、きわめて高い耐反射特性（65:1以上のVSWR）により堅牢性に優れた携帯型無線機を実現することができます。
このトランジスタは、169MHz、434MHz、または868MHzで稼働する自動検針装置といったアプリケーション向けのフリースケール・マイクロコントローラとの併用に適しており、優れた費用対効果によりアプリケーションの通信範囲を拡大します。それ以外のマシン・ツー・マシン・アプリケーションやSCADA（Supervisory Control And Data Acquisition）システムにも理想的です。
2ステージ構成のAFIC901N LDMOSデバイスは、1W CWのRF出力パワーにより136～174MHzのVHF周波数範囲で63%の効率と30dBのゲインを達成します。4 × 4mmサイズのQFNパッケージのこのデバイスはわずか0dBmの入力から30dBmの最大定格出力を発揮するため、前置増幅器が必要ありません。AFIC901Nは、入力、出力、およびその中間レベルでデバイス外のRFに適合可能な柔軟性を備えています。そのため、設計者は回路ボード上の一部のディスクリート部品を変更するだけで、さまざまな無線帯域を含めて目的のシステム要件に応じてデバイスを最適化することが可能です。
シングルステージのAFT05MS003NのCW出力は3Wで、VHF帯域の17dBのゲインと67%の効率により136～941MHzの範囲をカバーし、きわめて優れた入力と出力を備えています。パッケージはSOT-89オーバモールド・プラスチック・パッケージです。この最新のトランジスタは、1～75WのモバイルおよびM2M無線アプリケーションを対象とするフリースケールAirfastトランジスタ・ポートフォリオ（7.5～12.5VDC）の製品です。
供給
AFT05MS003Nは現在量産出荷中、AFIC901Nは現在サンプル出荷中です。いずれの製品も、VHF（135～175MHz）アプリケーションおよびUHF（350～520MHz）アプリケーション向けサンプルとリファレンス・デザインが用意されています。価格などの詳しい情報については、フリースケールの販売代理店にお問い合わせになるかwww.freescale.com/RFのWebサイトをご覧ください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、セキュアな組込みプロセッシング・ソリューションによって”Internet of Tomorrow”（モノのインターネットの先にある、よりセキュアなIoTソリューション）を実現します。フリースケールのソリューションは、より革新的で、世界を繋ぎ、私たちの生活をシンプルで安全なものにします。また、世界的な企業の役割として、次世代のイノベータを育むために、科学・技術・工学・数学（STEM）教育に貢献することを約束します。詳細は、 (リンク ») のWebサイトをご覧ください。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc.,Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
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