電力変換効率を向上させる新しいパワーMOSFETおよびパッケージ技術を発表

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STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、MDmesh(TM) DM2技術を採用した新しいパワーMOSFET （Nチャネル）を発表しました。この新製品は、コンピュータ、通信ネットワーク、産業機器、およびコンスーマ機器に使用される低圧電源の効率を大きく向上させます。

電子書籍、動画、画像、音楽ファイルなど、世界中の人々が取得・保管・共有するデジタル・データの量は急速に増加しています。クラウドを支える巨大サーバ、人々やモノをつなげる通信ネットワークでは、それらのデータが最終的に使用されるため、低消費電力化に対するニーズがますます高まっています。STは、世界最高の電力密度(1) を持つソリューションにより、課題に取り組んでいます。このソリューションは、最先端のパワー・トランジスタ構造と、優れたコスト・放熱性能を特徴とする小型パッケージ技術「PowerFLAT(TM) 8x8 HV」を組み合わせています。

STの新しいパワーMOSFETファミリは、ファスト・リカバリ・ダイオードを内蔵し、最大650Vのブレークダウン電圧に対応する、スーパー・ジャンクション型の幅広い製品で構成されています。この新製品ファミリは、多様な技術特性（低ゲート電荷、入力静電容量および抵抗、内蔵ファスト・リカバリ・ダイオードの非常に低い逆回復電荷（Qrr）および逆回復時間（Trr）、業界最高クラスのソフト・スイッチ性能(2) など）を組み合わせることで、優位性を実現しています。

MDmesh(TM) DM2技術を採用した新しいパワーMOSFETは現在入手可能で、各種パッケージ / ブレークダウン電圧を選択することができます。単価は1000個購入時に約1.55ドルです。

(1)電力密度は、物理的空間を最小限に抑えると同時に、AC電源を低電圧DC電源にどのように効率的に変換できるかを表わします。
(2)ソフト・スイッチングは、制御信号がゼロに近い場合など、最も好条件で制御MOSFETのオン/オフを切り替える電源アプローチです。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2015年の売上は69.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ (リンク ») ）をご覧ください。

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プレスリリース提供：PRTIMES (リンク »)