パワーMOSFET、ゲート・ドライバ、保護回路を内蔵し、小型化、設計簡略化、組立合理化を実現するフル・ブリッジSiPを発表

STマイクロエレクトロニクス 2017年12月13日

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STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、600V/8Aの単相パワーMOSFETフル・ブリッジを搭載した小型(13 x 11mm)のシステム・イン・パッケージ(SiP)であるPWD13F60を発表しました。同製品は、産業用モータ・ドライバ、照明安定器、電源、コンバータ、インバータなどの部材コストおよび基板面積を削減します。

PWD13F60は、ディスクリート部品で構成した同等の回路と比べて、実装面積を60%小型化するほか、最終製品の電力密度を高めることができます。また、デュアルFETハーフ・ブリッジの製品や6個のFETを搭載する三相製品をはじめとした、市場で入手可能な一般的なモジュールと異なり、同製品は4個のパワーMOSFETを集積しています。そのため、単独で単相フル・ブリッジを実現できるほか、内蔵パワーMOSFETを過不足なく使用できるため、高効率な代替製品として使用できます。さらに、モジュールは1つのフル・ブリッジまたは、2つのハーフ・ブリッジとしても構成できるため、柔軟性にも優れています。

STの高耐圧BCD6s-Offlineプロセスで製造されるPWD13F60は、パワーMOSFET用のゲート・ドライバと、ハイサイド駆動用のブートストラップ・ダイオードを内蔵しています。そのため、外付け部品が不要で、基板設計の簡略化に加えて組立工程の効率化が可能です。また、ゲート・ドライバは、高い信頼性をもつスイッチングと、低いEMIを実現できるように最適化されています。このSiPは、貫通電流保護と減電圧ロックアウト(UVLO)も備えているため、さらなる実装面積の削減と同時に、システムの安全性も向上させることができます。

また、PWD13F60は、最低6.5Vから動作できる幅広い電源電圧範囲を備えているため、優れた柔軟性と設計の簡略化に貢献します。さらに、このSiPは3.3V~15Vのロジック信号を入力でき、マイクロコントローラ、デジタル・シグナル・プロセッサ(DSP)、およびホール・センサとの接続も簡単です。

PWD13F60は現在入手可能で、放熱効率に優れたマルチ・アイランドのVFQFPNパッケージで提供されます。単価は、1000個購入時に約2.65ドルです。

詳細については、 (リンク ») をご覧ください。

注記
STは、More than Moore(MtM)による多様化という全体的なビジョンのもとで、高耐圧化、高電力化、高密度化という3つのロードマップに沿ってBCD(バイポーラ・CMOS・DMOS)プロセスの開発を進めています。BCD6s-Offline(0.32μm)、BCD6s-SOI(0.32μm)、BCD8s-SOI(0.16μm)が高耐圧プロセスで、BCD8sP (0.16μm)とBCD9s(0.11μm)が高密度プロセスです。STは、BCDプロセスのポートフォリオに加えて、もう1つのMtM技術であるSiP(複数のチップを積層、または平面に配置して1パッケージに集積)の専門性を有しています。そのため、スマートパワー・アプリケーションにおいて、性能の向上と新製品開発期間の短縮を実現するとともに、最適化された機能を提供することができます。高度に最適化された小型のPWD13F60は、MtM技術におけるSTのリーダーシップが実現した最新の製品です。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2016年の売上は69.7億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト( (リンク ») )をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
アナログ & MEMS製品グループ
TEL : 03-5783-8250 FAX : 03-5783-8216

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