Innogration社のLDMOS技術に関し、ライセンス契約および協力契約を締結

・本合意により、STのRFパワー市場への対応範囲が拡大
・高い完成度と実績を備えるLDMOS技術は、無線インフラ、産業・科学・医療機器、航空電子機器、レーダー、およびセルラー通信以外の無線機器に最適

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、Innogration Technologies（以下Innogration）社と、RFパワー向けLDMOS技術(1)に関して合意したことを発表しました。中国・蘇州に本社を置く半導体ファブレス企業であるInnogration社は、RFパワー半導体デバイス / モジュール / サブシステムの設計・製造を行っています。

伝導チャネル長が短く、ブレークダウン電圧が高いLDMOS製品は、ワイヤレス通信システムの基地局に用いられるRFパワー・アンプや、商業用・産業用システム向けパワー・アンプに最適です。Innogration社との合意により、STはLDMOS技術を使用するより広範な用途への対応が可能になります。

なお、合意条件は非公開です。

(1) LDMOS:横方向拡散金属酸化膜半導体

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2017年の売上は83.5億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ (リンク ») ）をご覧ください。

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