小型基板向け半導体露光装置“FPA-3030i5a”を発売　多様な半導体デバイス製造とCoO（Cost of Ownership）の低減を実現

キヤノンは、半導体露光装置の新製品として、化合物半導体などのデバイス製造に対応し、半導体製造に必要な総コストの指標であるCoOを低減したi線（※1）ステッパー“FPA-3030i5a”を2021年3月上旬に発売します。



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新製品は8インチ以下の小型基板向け半導体露光装置で、シリコンだけではなく、SiC（シリコンカーバイト）やGaN（ガリウムナイトライド）などの化合物半導体のウエハーに対応することで、多様な半導体デバイス製造が可能です。これにより、今後需要が見込まれる車載向けパワーデバイスや5G対応の通信デバイスなどの半導体デバイス製造に対応します。また、従来機種「FPA-3030i5+」（2012年6月発売）から、ハードウエアとソフトウエアを刷新し、CoOを低減しています。

■ さまざまなウエハーに対応することで多様な半導体デバイス製造が可能
サイズが直径2インチ（50mm）から直径8インチ（200mm）までの化合物半導体など多様なウエハーに対応可能な搬送システムを採用しています。さらに、投影レンズを通さずにアライメントマークを計測する新アライメントスコープの採用により、幅広い波長でのアライメント計測が可能です。裏面アライメント（TSA: Through Si Alignment)もオプションとして選ぶことができ、さまざまな顧客の製造プロセスに対応します。また、従来機種の解像力を継承し、0.35マイクロメートル（※2）の線幅パターンの露光が可能です。これらの機能の搭載により、SiCなどの化合物半導体を含む幅広いウエハー素材で、パワーデバイスや通信デバイスの製造が可能です。

■ ハードウエアとソフトウエア刷新によるCoOの低減
アライメントマークの計測時間を短縮した新アライメントスコープや高速化した搬送システムなどのハードウエアの採用と、ソフトウエアの刷新により、従来機種と比べ生産性が約17％向上しました。8インチ（200mm）のウエハーにおいて123wph（Wafers per hour）のウエハー処理が可能です。また、露光装置内を一定環境に保つチャンバーの温度制御方式を変更したことで、消費電力を従来機種から約20％削減しました。これらの改善により、CoOの低減を求めるユーザーのニーズに応えます。

※1　i線（水銀ランプ波長365nm）の光源を利用した半導体露光装置。1nm（ナノメートル）は10億分の1メートル。
※2　1マイクロメートルは、100万分の1メートル（＝1000分の1mm）。

＜「キヤノン露光装置50周年記念ウェブサイト」について＞
キヤノンが、露光装置事業に本格参入して今年で50周年を迎えました。50周年に際し、「露光装置」の仕組みや性能をイラストや動画で分かりやすく説明した「キヤノン露光装置50周年記念ウェブサイト」を公開しています。露光の仕組みを分かりやすく紹介するキッズ向けページも用意しています。
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