(BW)マイクロン社、NANDフラッシュメモリー製品の生産計画発表

ビジネスワイヤ・ジャパン株式会社 2004年07月05日

マイクロン社、同社のDRAM技術の先進性と専門性を活かし、NAND顧客の要求に対応

米・アイダホ州ボイジー発(ビジネスワイヤ)

ビジネス関連編集者/ハイテク関連記者各位


マイクロン・テクノロジー社は本日、メモリー・カード、USB機器、その他大量ストレージ・アプリケーションを主な対象とするNANDフラッシュメモリー製品の生産計画を発表しました。携帯機器に使用される、高機能・低価格のフラッシュ・ソリューションに対する需要の高まりにより、NANDフラッシュは市場の中で最も成長著しい半導体分野となっています。半導体メモリー製品のメーカー大手としてマイクロン社は、顧客のNANDメモリーへの要請に応えることに注力してまいります。

NAND、「セルラーRAM」デバイス、「RLDRAM II」デバイス、CMOSイメージセンサーなど、製品の多様化は、マイクロン社がDRAM製品やプロセス技術における同社のコア・コンピテンスを生かす大きなチャンスとなっています。さらに、NANDがマイクロン社の既存の製品ポートフォリオを補完することにより、同社が半導体専門メーカーとして顧客をサポートする能力がさらに高まります。

マイクロン社ネットワーキング・通信担当副社長ジャン・デュ・プリーズ氏は次のように述べました。「当社の優れた生産能力、先進のプロセスと製品技術、設備投資をさらに活用することにより、マイクロン社は3大メーカーの1社として市場に食い込もうと計画しています。マイクロン社はNAND市場に積極的に参入する端緒として、まず90nmで製品の第一弾を発売し、次いでプロセスを72nmに移行し、さらに58nmへと移行いたします。当社のNANDのロードマップには、16Gbに至るまでの数多くの設定と集積度の移行が含まれています。マイクロンは、生産を迅速に立ち上げて、予想される市場の要求に応えたいと考えています。」。

2004年末までに、マイクロン社は同社初のNANDフラッシュ・ソリューションとなる2Gbコンポーネントを、市場に投入する予定です。フラッシュカード市場において量産される機種が128MBから256MBのNANDに移行し始めているなか、この2Gb製品投入によってマイクロン社は、最適な集積度のNANDフラッシュをタイミング良く市場に提供し、着脱可能なストレージ製品の市場の要求に対応いたします。

マイクロン・テクノロジー社は、世界有数の先進的な半導体ソリューションの大手です。マイクロン社は、世界全域での事業活動を通じ、最先端のコンピューター、消費者、ネットワーキング、モバイル製品などに使われる、DRAM、フラッシュメモリー、CMOS画像センサー、その他半導体部品とメモリー・モジュールなどを製造、販売しています。マイクロン社の普通株式はニューヨーク証券取引所(NYSE)にMUのコード名で上場取引されています。マイクロン・テクノロジー社の詳報については、同社ウェブサイト、www.micron.comにアクセス願います。

「セルラーRAM」は、米国内においてはマイクロン・テクノロジー社の商標であり、米国外ではインフィニオン・テクノロジーズ社の商標です。「RLDRAM」は多くの国々においてインフィニオン・テクノロジーズ社の商標で、インフィニオン社からのライセンスに基づきマイクロン・テクノロジー社により使用されています。

このプレスリリースには、将来におけるNANDフラッシュ製品の生産に関する「将来予測」表明を含んでいます。実際の事象または結果は、「将来予測」表明に記載されたものと実質的に異なる可能性があります。証券取引委員会に当社が時宜に応じ提出する連結ベースの当社文書、特に直近の当社の書式「10-K」および「10-Q」を参照願います。これらの文書は、当社の連結ベースに対する実際の結果が、当社の予測または「将来予測」表明(「一部要因」を参照願う)に記載されたものと実質的に異なる原因となりうる重要な要因を含みかつ特定しております。当社は、「将来予測」表明に反映されたこれRの期待が妥当であると信じておりますが、将来の結果、行動水準、実績、成果を保証することはできません。当社は、このプレスリリースの当日移行、実際の結果に適合させるべく、「将来予測」表明を更新する一切の義務を負うものではありません。


CONTACT: Micron Technology, Inc.
Echo Chadwick, 208-368-4400
echadwick@micron.com
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