RFパワー市場にGaNが登場しても、マイクロ波管は依然として重要な位置を占める

米国の調査会社ABIリサーチ社は、現在のマイクロ波とミリ波高出力真空電子デバイスは、信頼性の高い高性能RFパワーデバイスだと報告する。

アリゾナ州スコッツデール、2008年6月24日
マイクロ波とミリ波高出力真空電子デバイス(VED)は、初期のRFエレクトロニクスの基本的な技術要素のひとつが今日に至ったものである。現在のデバイスは、19世紀から20世紀の転換期に遡る真空管(バルブ)の基本に、近代的なデザインと製造技術が加わり、信頼性の高い高性能RFパワーデバイスとなっている。

「真空電子デバイスは、時代遅れと見えるかもしれない」と米国調査会社ABIリサーチの取締役Lance Wilson氏は言う。「だが、狭いスペースで同レベルのRFパワーを出す方法が他にない場合もある。特定のクライストロンやジャイロトロンが、メガワットの電力を出力するには、多くのトランジスタが必要だ。」

驚くことに、このいわゆる「時代遅れの恐竜」は絶滅寸前の種などとは程遠く、特殊な軍隊や科学や医療分野の通信アプリケーションで必要不可欠である。このため、この市場は、Wilson氏の言葉を借りると「一般に考えられているよりも大きく、かなりの規模」である。

技術の耐久性は高いが、新たな固体ソリューションによって少なくとも市場の一部が混乱に陥る可能性がある。窒化ガリウムは、最低でもいくつかのマイクロ波やミリ波VEDに代わる半導体デバイスの基盤となる。この技術は、シリコンLDMOSと同様の非常に高性能な機能を備え、非常に高い周波数(最高50GHz)を必要とする。

「窒化ガリウムをマイクロ波管、特に低出力進行波管の有効な代替物と考える意見が多い」とWilson氏は言う。「だが、現状では窒化ガリウムの脅威の大きさやタイミングについては意見が分かれている。」

マイクロ波とミリ波高出力真空電子デバイス市場に関する調査レポートは、これまであまりなく、直接関わりのない人々にはあまり理解されていない。ABIリサーチの調査レポート「マイクロ波とミリ波の高出力真空電子デバイスと窒化ガリウムの脅威:迫る技術の衝突」は、この市場の詳細な情報を得ることができる。マイクロ波とミリ波高出力真空電子デバイス市場を調査し、この新たな窒化ガリウム(GaN)デバイスが、ビジネスにどのような影響を及ぼすか査定している。防衛分野のエレクトロニクス、エネルギーと科学調査、宇宙船のエレクトロニクスの機関やVEDメーカー、RFパワー半導体のユーザー、メーカー、政府機関にとって興味深い内容である。

この調査レポートは、この他の調査レポート、「ABI Insights」、アナリストへの質問時間を含む「RFパワーデバイス年間リサーチサービス」の一環である。

◆調査レポート
マイクロ波とミリ波の高出力真空電子デバイスと窒化ガリウムの脅威:迫る技術の衝突
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