調査レポートは、プロセスを8つに分類した。世界のウェハキャパシティは、<0.12μ-≧80nmプロセスが15%、<0.16μ-≧0.12μ技術が13%である。最も一般的でない技術(少なくとも最も利用されていないキャパシティのシェア)は、0.2μと0.7μ、特に0.25μ、0.35μ、0.5μ、0.65μである。(中略)
調査レポートは、韓国、台湾、南北アメリカがその他の地域や国々よりも進んでおり、欧州は0.4μ以上の"古い"技術が最も集中しているとしている。高密度DRAMやフラッシュメモリ製品をみると、韓国がリーディングエッジプロセスの最大のシェアで、45%を占めている。次が最も先進のプロセスを使っている南北アメリカで37%、その次は32%の台湾である。(後略)
[調査レポート]
世界のウエハー生産能力分析と予測 2008年版
Global Wafer Capacity Analysis and Forecast 2008
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