世界のウェハファブのキャパシティは80nmが独占

韓国、台湾、南北アメリカにリーディングエッジキャパシティが集中

株式会社データリソース 2008年10月28日

米国の調査会社ICインサイツ社は出版レポート「世界のウエハー生産能力分析と予測 2008年版 - Global Wafer Capacity Analysis and Forecast 2008」のプレスリリースにおいて、韓国、台湾、南北アメリカがその他の地域や国々よりも進んでおり、欧州は0.4μ以上の"古い"技術が最も集中しているとしているという調査結果を発表した。

全ウェハキャパシティの29%を、80nm以下が占めていると米国調査会社ICインサイツ社の調査レポート「世界のウエハー生産能力分析と予測 2008年版」は報告している。その内訳は、高密度DRAMや70nm、60nm、50nm、40nm技術のフラッシュメモリデバイス、高性能MPU/MCU/DSPデバイス、65nmと45nm技術の高度なASIC/ASSP/FPGAデバイスなどである。

調査レポートは、プロセスを8つに分類した。世界のウェハキャパシティは、<0.12μ-≧80nmプロセスが15%、<0.16μ-≧0.12μ技術が13%である。最も一般的でない技術(少なくとも最も利用されていないキャパシティのシェア)は、0.2μと0.7μ、特に0.25μ、0.35μ、0.5μ、0.65μである。(中略)

調査レポートは、韓国、台湾、南北アメリカがその他の地域や国々よりも進んでおり、欧州は0.4μ以上の&quot;古い&quot;技術が最も集中しているとしている。高密度DRAMやフラッシュメモリ製品をみると、韓国がリーディングエッジプロセスの最大のシェアで、45%を占めている。次が最も先進のプロセスを使っている南北アメリカで37%、その次は32%の台湾である。(後略)


[調査レポート]
世界のウエハー生産能力分析と予測 2008年版
Global Wafer Capacity Analysis and Forecast 2008
(リンク »)

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このプレスリリースの付帯情報

Worldwide Capacity by Minimum Geometry as of Jan-2008

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