MOSAID社、HLNAND2フラッシュメモリの仕様を発表

JCN株式会社 2011年02月28日

Ottawa, Ontario, Feb 28, 2011 - MOSAID Technologies Inc. (TSX: MSD)は、革新的なHLNAND (HyperLink NAND)フラッシュメモリのアーキテクチャおよびインターフェースの開発の大きなステップであるHLNAND(TM)2を、本日発表しました。エンタプライズ・データ・センターや高パフォーマンス・コンピューティング・アプリケーションなど、大容量ストレージ・アプリケーション向けに最適化されたHLNAND2は、設計者が、ギガバイト/秒のパフォーマンスとテラバイトクラスのストレージ容量を備えたSSD (半導体ドライブ)を容易に作り出すことを可能にする初のNANDストレージフラッシュインターフェースです。


MOSAID社のHLNAND (HyperLink NAND)フラッシュメモリ仕様2では、高速のPoint-to-Pointリング型トポロジを活用していますので、複数ギガバイト/秒クラスのデータ転送率を実現するSSDの開発を促進します。HLNAND2の未加工データ転送速度はチャネルあたり最大800MB/秒、DuplexRW(TM)を使った場合はチャネルあたり1600MB/秒で、ホストインターフェースで1 GB/秒より速いデータ転送速度に達するのに、メモリチャネルを1つしか必要としません。これと比較して、パラレル・バス・ストラクチャをベースにしたNANDフラッシュ・インターフェースには、最大200MB/秒の転送速度の制限があり、それぞれのチャネルはわずかのデバイスしかサポートしません。


HLNANDのPoint-to-Pointインターフェースでは、少ない負荷で非常にクリーンな信号環境を生み出しますので、開発者は、データ転送速度の劣化なしに、テラバイトクラスの容量を備えたSSDを作り出すことができます。HLNANDのリング型トポロジでは、さまざまなパラレルバス・フラッシュを悩ませていた消費電力の大きいODT(on-die termination)が不要になります。


「HLNAND2インターフェース・アーキテクチャを活用した半導体ドライブでは、比類ないレベルのパフォーマンスと柔軟性を達成できます。」と、MOSAID社担当VPのJin-Ki Kimは述べました。「HLNAND2のエンジニアリングサンプルは2011年中に発表される予定です。エンジニアリングサンプルを使用すると、HLNAND2を使って、さらに高いパフォーマンスと拡張可能性が必要なさまざまなフラッシュ・ストレージ・アプリケーションの設計をすることができるようになります。」


相互接続の課題を解決
コンピューティング・インフラに接続しているさまざまなアーキテクチャでは、ストレージ・システムへのシステム相互接続の高速化というニーズがますます高まっています。パラレルバスをベースにしたNANDフラッシュ・インターフェースの制限のために、SSDの設計では、多くのチャネルが必要となり、多くの場合、いくつかのフラッシュ・コントローラとインターフェース・チップを介して配信されています。たとえば、ストレージ・ハードウェアへの接続にマルチレーンPCIが使用されていることの多いエンタプライズ・システムでは、システム相互接続に必要なスループットを提供するために、2つ以上のSATAフラッシュ・コントローラ、追加RAIDコントローラ、PCIeホスト・ブリッジなどに接続した25から50のチャネルが、SSDに必要となります。


MOSAID社のHLNANDフラッシュメモリ・インターフェースでは、相互接続スピードが速まるにつれて高まるSSD設計の複雑性を解消すると同時に、容量も増大しています。HLNANDは拡張性が高く、高速システム相互接続とほぼ等しい動作スピードのため、パラレルバスにありがちな拡張性の問題なしに、さまざまなストレージ・ソリションの設計手法を簡素化します。HLNAND2インターフェースは、高速相互接続とほぼ同等なため、統合PCIeインターフェースを備えたフラッシュ・コントローラの開発ができるようになります。これにより、フラッシュ・チャネルのパラレル化の必要性が大幅に軽減され、中間ブリッジ・デバイスが不要になります。その結果、拡張性が高く、多くのアプリケーションに適し、コストが低く、高パフォーマンスなコントローラ・ソリューションとなります。


HLNAND2には、8ビットの同期化DDRデータバスが搭載され、ソース同期クロックを活用していますので、最大800MB/秒のスループットを提供するために、最大400MHzで稼動可能です。他の機能は次のとおりです。
-- 第2世代および第3世代のPCIeなどの、高速システム相互接続に匹敵するフラッシュ・インターフェース・スピード
-- DuplexRW(TM):事実上1600MB/秒のデータ・スループットの同時DDR800読み取りおよび書き込み、PCIe二重化機能に適合
-- 自動パケット・トランケーションによる省電力
-- パケット・プロトコル通信で最高の信頼性を実現する「コマンド・パケット」の組み込みEDC(エラー検出コード)


HLNAND2の全仕様は www.hlnand.com からダウンロードできます。


HyperLink (HL) NAND Flashについて


HLNAND Flashは、業界でもっとも先進的な機能セットを提供するため、MOSAID社のHyperLinkメモリ技術と業界標準のNANDフラッシュ・セル技術を組み合わせ、従来のフラッシュの10倍以上の入出力容量を達成した高パフォーマンス・ソリューションです。詳しい情報は www.hlnand.com をご覧ください。


MOSAIDについて
MOSAID Technologies Inc.は、知的財産分野で世界的大手の企業のひとつです。MOSAID社は、半導体や通信システム分野で特許取得済み知的財産のライセンス貸与を行い、半導体メモリ技術の開発をしています。MOSAID社のライセンシーには、世界トップの企業が多くあります。MOSAID社の創立は1975年で、カナダのオンタリオ州オタワを本拠にしています。詳しくは www.mosaid.com とInvestorChannel.mosaid.com をご覧ください。


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お問い合わせ先:
MOSAID Technologies Inc.
Michael Salter
IRおよびコーポレート広報担当専務理事
+1 613-599-9539 x1205
salter@mosaid.com

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