UMCの28nm、ハイK/メタルゲートプロセスにスボルタのDDC技術を採用、モバイル応用をターゲットに
HSINCHU, TAIWAN, and LOS GATOS, CA, July 23, 2013 - ( JCN Newswire ) - 台湾のUMC（United Microelectronics Corporation）とスボルタは、28nmプロセスを共同開発すると発表しました。この技術は、UMCの28nmハイK/メタルゲート（HKMG）高性能モバイル（HPM）プロセスにスボルタのDDC（Deeply Depleted Channel：深い空乏層のチャンネルを利用）トランジスタ技術を統合するものです。UMCとスボルタは共同開発することでDDCトランジスタ技術を使うメリットを引き出し、リーク電力を下げ、SRAMの低電圧動作性能を上げることができるようになります。
このプロセス技術はフレキシブルに導入できることも両社は発表しています。
--「DDC PowerShrink(TM)低消費電力プラットフォーム｣のオプション：全てのトランジスタにDDC技術を使う場合に究極の低消費電力・高性能というメリットを享受できます
--「DDC DesignBoosterトランジスタ交換」オプション：既存の設計データベースを元にトランジスタを部分的にDDCトランジスタに置き換えるというもの。このオプションの典型的な事例はリーク電流の多いトランジスタをDDCトランジスタに置き換えるもので、リーク電流を低減します。あるいはSRAMのメモリセルトランジスタをDDCトランジスタで置き換えると、性能を改善し、電源電圧をもっと下げようというものです。
「今後数週間、数カ月のうちに、スボルタとの共同開発による約束されたメリットを達成できると期待しています。そして、UMCの28nmHKMGプロセスの中にスボルタのDDC技術を組み込む時の性能と消費電力のメリットを実証することになります」。こう語るのは、UMCの先端技術部門バイスプレジデントのT.R Yew氏です。同氏はさらに続けて次のように述べます。「スボルタの先端技術を当社のHKMGプロセスに導入することによって、当社の持つ既存のポリSiONとHKMGプロセスを相補って、28nmモバイルコンピューティングのためのプロセスプラットフォームを提供していきたいと思っています」。
「UMCとスボルタの共同開発チームは、DDC技術を集積した素晴らしいプロセスをUMCの28nmプロセスに構築し続けていきます。また、共同開発を通じて、UMCの顧客のデザインを簡単にポーティングできるようなプロセスを開発していきます」とスボルタ社社長兼CEOのブルース・マックウィリアムズ氏は述べます。加えて、「スボルタは、高コストで技術的に難しくなるプロセス技術に代わる技術を業界に提供することによって、これからの世代に渡るモバイルデバイスを先進開発していきます」と述べています。
UMCについて
UMC（ニューヨーク証券取引所コード名：UMC、台湾証券取引所コード名：2303）は、先端技術を提供する大手グローバル半導体ファウンドリであり、あらゆる部門のIC 産業に広がる応用に向けて製造します。UMCの堅実なファウンドリソリューションを使うと、IC設計者は先端プロセスを加速させることができます。この先端プロセスには、28nmポリSiONおよびゲートラストのハイK/メタルゲート技術、ミクストシグナル技術、RFCMOS技術、そして広範囲な特殊技術があります。生産をサポートするのは、10カ所のウェーハプロセス工場で、最先端の二つの300mmファブがあります。一つは台南のファブ12Aで、もう一つはシンガポールのファブ12iです。ファブ12Aは、カスタマ製品を生産するためのフェーズ1～4棟で28nmまで微細化可能です。さらにフェーズ5と6は建設中で、フェーズ7と8は将来の建設計画に入っています。UMCの従業員は世界中に1万5000名おり、そのオフィスは世界各地にあります。台湾に加え、中国、欧州、日本、韓国、シンガポール、米国です。詳細は次のURLを参照してください。 (リンク »)
スボルタ（SuVolta）社について
スボルタ社は、低消費電力で高性能なICチップに必要な微細化可能な半導体技術を開発、ライセンスを供与しています。シリコンバレーを本拠として、同社は、長い間の技術開発や技術革新を保持する世界クラスの技術者や科学者を抱え、半導体産業の発展に尽くしています。同社の出資者には、大手ベンチャーキャピタルのクライナーパーキンス・コーフィールド＆バイヤーズ（KPCB）、オーガストキャピタル、NEA、ブライトキャピタル、ノースゲートキャピタル、DAGベンチャーズがいます。詳細は以下のURLをご参照ください。 www.suvolta.com (リンク »)
スボルタの技術についてさらに詳細を知りたい方は以下のURLを参照してください。
www.suvolta.com/technology/technology-overview/ (リンク »)
スボルタの技術ライセンスに興味のある方は、以下のURLを参照してください。
www.suvolta.com/sales-inquiry/ (リンク »)
ツイッターは以下のURLです；@ (リンク »)
報道窓口
UMC Corporate Communications
Richard Yu
(886) 2-2658-9168 ext. 16951
richard_yu@umc.com
SuVolta, Inc.
Margo Westfall
+1-408-429-6058
mwestfall@suvolta.com
The Hoffman Agency
Steve Jursa
+1-408-975-3029
sjursa@hoffman.com
概要：SuVolta, Inc.
HSINCHU, TAIWAN, and LOS GATOS, CA, July 23, 2013 - ( JCN Newswire ) - 台湾のUMC（United Microelectronics Corporation）とスボルタは、28nmプロセスを共同開発すると発表しました。この技術は、UMCの28nmハイK/メタルゲート（HKMG）高性能モバイル（HPM）プロセスにスボルタのDDC（Deeply Depleted Channel：深い空乏層のチャンネルを利用）トランジスタ技術を統合するものです。UMCとスボルタは共同開発することでDDCトランジスタ技術を使うメリットを引き出し、リーク電力を下げ、SRAMの低電圧動作性能を上げることができるようになります。
このプロセス技術はフレキシブルに導入できることも両社は発表しています。
--「DDC PowerShrink(TM)低消費電力プラットフォーム｣のオプション：全てのトランジスタにDDC技術を使う場合に究極の低消費電力・高性能というメリットを享受できます
--「DDC DesignBoosterトランジスタ交換」オプション：既存の設計データベースを元にトランジスタを部分的にDDCトランジスタに置き換えるというもの。このオプションの典型的な事例はリーク電流の多いトランジスタをDDCトランジスタに置き換えるもので、リーク電流を低減します。あるいはSRAMのメモリセルトランジスタをDDCトランジスタで置き換えると、性能を改善し、電源電圧をもっと下げようというものです。
「今後数週間、数カ月のうちに、スボルタとの共同開発による約束されたメリットを達成できると期待しています。そして、UMCの28nmHKMGプロセスの中にスボルタのDDC技術を組み込む時の性能と消費電力のメリットを実証することになります」。こう語るのは、UMCの先端技術部門バイスプレジデントのT.R Yew氏です。同氏はさらに続けて次のように述べます。「スボルタの先端技術を当社のHKMGプロセスに導入することによって、当社の持つ既存のポリSiONとHKMGプロセスを相補って、28nmモバイルコンピューティングのためのプロセスプラットフォームを提供していきたいと思っています」。
「UMCとスボルタの共同開発チームは、DDC技術を集積した素晴らしいプロセスをUMCの28nmプロセスに構築し続けていきます。また、共同開発を通じて、UMCの顧客のデザインを簡単にポーティングできるようなプロセスを開発していきます」とスボルタ社社長兼CEOのブルース・マックウィリアムズ氏は述べます。加えて、「スボルタは、高コストで技術的に難しくなるプロセス技術に代わる技術を業界に提供することによって、これからの世代に渡るモバイルデバイスを先進開発していきます」と述べています。
UMCについて
UMC（ニューヨーク証券取引所コード名：UMC、台湾証券取引所コード名：2303）は、先端技術を提供する大手グローバル半導体ファウンドリであり、あらゆる部門のIC 産業に広がる応用に向けて製造します。UMCの堅実なファウンドリソリューションを使うと、IC設計者は先端プロセスを加速させることができます。この先端プロセスには、28nmポリSiONおよびゲートラストのハイK/メタルゲート技術、ミクストシグナル技術、RFCMOS技術、そして広範囲な特殊技術があります。生産をサポートするのは、10カ所のウェーハプロセス工場で、最先端の二つの300mmファブがあります。一つは台南のファブ12Aで、もう一つはシンガポールのファブ12iです。ファブ12Aは、カスタマ製品を生産するためのフェーズ1～4棟で28nmまで微細化可能です。さらにフェーズ5と6は建設中で、フェーズ7と8は将来の建設計画に入っています。UMCの従業員は世界中に1万5000名おり、そのオフィスは世界各地にあります。台湾に加え、中国、欧州、日本、韓国、シンガポール、米国です。詳細は次のURLを参照してください。 (リンク »)
スボルタ（SuVolta）社について
スボルタ社は、低消費電力で高性能なICチップに必要な微細化可能な半導体技術を開発、ライセンスを供与しています。シリコンバレーを本拠として、同社は、長い間の技術開発や技術革新を保持する世界クラスの技術者や科学者を抱え、半導体産業の発展に尽くしています。同社の出資者には、大手ベンチャーキャピタルのクライナーパーキンス・コーフィールド＆バイヤーズ（KPCB）、オーガストキャピタル、NEA、ブライトキャピタル、ノースゲートキャピタル、DAGベンチャーズがいます。詳細は以下のURLをご参照ください。 www.suvolta.com (リンク »)
スボルタの技術についてさらに詳細を知りたい方は以下のURLを参照してください。
www.suvolta.com/technology/technology-overview/ (リンク »)
スボルタの技術ライセンスに興味のある方は、以下のURLを参照してください。
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(886) 2-2658-9168 ext. 16951
richard_yu@umc.com
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+1-408-429-6058
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お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。
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