Solar-Tecticが薄膜ソーラーセルと半導体技術で大規模特許獲得
AsiaNet 60251 （0525）
【ブライアクリフマナー（米ニューヨーク州）2015年4月23日PRN=共同通信JBN】
＊この特許はU.S. Medal of Technology and Innovation（米国家技術・イノベーション賞）を授与された故プラビーン・チョウドリ博士が発明した技術に与えられたもので、薄膜ソーラーセル、LED、TFT、FET、ソーラー・インバーター、ナノワイヤ機器を含む幅広い電子アプリケーション向けテクノロジーをカバー
Solar-Tectic LLC （ (リンク ») ）（"ST"）は23日、米特許商標庁（USPTO）が普通のガラスのように高価ではない基板上に単結晶で極めて手触りの粗いか粗大粒状の半導体フィルムを成長させることを含めて、幅広いテクノとジーに大量の特許（50以上の特許請求範囲に対して）を交付したと発表した。これらテクノロジーは1995年の米国家技術賞を授与されたプラビーン・チョウドリ博士が発明したもので、ソーラー、ディスプレー、LEDなどさまざまな産業に応用される。
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「Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon（表面にヘテロエピタキシャル単結晶あるいは粗大粒状半導体フィルムおよび機器）」との名称による米特許（12/774,465）は、気相・液相・固相（VLS）成長法を改良した薄膜（TF）成長技術であり、高価ではない基板上に初めてシリコン、ゲルマニウム、GaN（窒化ガリウム）など各種材料から特に高品質の半導体フィルムを低温蒸着させることができる。
共晶合金を巻き込む費用対効果のあるナノワイヤ状だが薄膜成長プロセスは、大規模産業アプリケーションに非常によく適合し、e-beam、CVD（化学気相蒸着）などさまざまな産業で現在用いられる共通の蒸着プロセスを利用して実行することができる。
一般の問い合わせもしくはこのテクノロジーのライセンスに関する問い合わせは以下を参照。
Carter Ledyard & Milburn LLP （ (リンク ») ）（davis@clm.com ）,
+1-212-238-8850.
▽Solar-Tectic LLC（"ST"）について
Solar-Tectic LLCは薄膜のスペシャリストでありガラスあるいはメタルテープに単結晶もしくは粗大粒状の半導体フィルムを成長させる特許技術の開発に専ら注力している。同社はこの目的のためのテクノロジーとIPについて幅広いポートフォリオを保有している。これらすべては米国家技術・イノベーション・メダル（1995年）を授与された材料科学者の故プラビーン・チョウドリ博士の発明に基づいている。この1年間、S. McMahonほか執筆による「Highly textured silicon [111] crystalline thin-film on buffered soda-lime glass by e-beam evaporation」（ (リンク ») ）やA Chaudhariほか執筆の「Crystalline Al203 on buffered soda-lime glass by e-beam」（ (リンク ») ）を含むR&Dの進歩を報告したいくつかの論文が発表されている。
ソース：Solar-Tectic LLC
AsiaNet 60251 （0525）
【ブライアクリフマナー（米ニューヨーク州）2015年4月23日PRN=共同通信JBN】
＊この特許はU.S. Medal of Technology and Innovation（米国家技術・イノベーション賞）を授与された故プラビーン・チョウドリ博士が発明した技術に与えられたもので、薄膜ソーラーセル、LED、TFT、FET、ソーラー・インバーター、ナノワイヤ機器を含む幅広い電子アプリケーション向けテクノロジーをカバー
Solar-Tectic LLC （ (リンク ») ）（"ST"）は23日、米特許商標庁（USPTO）が普通のガラスのように高価ではない基板上に単結晶で極めて手触りの粗いか粗大粒状の半導体フィルムを成長させることを含めて、幅広いテクノとジーに大量の特許（50以上の特許請求範囲に対して）を交付したと発表した。これらテクノロジーは1995年の米国家技術賞を授与されたプラビーン・チョウドリ博士が発明したもので、ソーラー、ディスプレー、LEDなどさまざまな産業に応用される。
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「Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon（表面にヘテロエピタキシャル単結晶あるいは粗大粒状半導体フィルムおよび機器）」との名称による米特許（12/774,465）は、気相・液相・固相（VLS）成長法を改良した薄膜（TF）成長技術であり、高価ではない基板上に初めてシリコン、ゲルマニウム、GaN（窒化ガリウム）など各種材料から特に高品質の半導体フィルムを低温蒸着させることができる。
共晶合金を巻き込む費用対効果のあるナノワイヤ状だが薄膜成長プロセスは、大規模産業アプリケーションに非常によく適合し、e-beam、CVD（化学気相蒸着）などさまざまな産業で現在用いられる共通の蒸着プロセスを利用して実行することができる。
一般の問い合わせもしくはこのテクノロジーのライセンスに関する問い合わせは以下を参照。
Carter Ledyard & Milburn LLP （ (リンク ») ）（davis@clm.com ）,
+1-212-238-8850.
▽Solar-Tectic LLC（"ST"）について
Solar-Tectic LLCは薄膜のスペシャリストでありガラスあるいはメタルテープに単結晶もしくは粗大粒状の半導体フィルムを成長させる特許技術の開発に専ら注力している。同社はこの目的のためのテクノロジーとIPについて幅広いポートフォリオを保有している。これらすべては米国家技術・イノベーション・メダル（1995年）を授与された材料科学者の故プラビーン・チョウドリ博士の発明に基づいている。この1年間、S. McMahonほか執筆による「Highly textured silicon [111] crystalline thin-film on buffered soda-lime glass by e-beam evaporation」（ (リンク ») ）やA Chaudhariほか執筆の「Crystalline Al203 on buffered soda-lime glass by e-beam」（ (リンク ») ）を含むR&Dの進歩を報告したいくつかの論文が発表されている。
ソース：Solar-Tectic LLC
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