GaNおよびSiCパワー半導体の市場規模、2024年に14億4000万米ドル到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「GaNおよびSiCパワー半導体の世界市場レポート 2024年」（The Business Research Company）の販売を2月19日より開始いたしました。

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パワー半導体の一種であるGaN（窒化ガリウム）およびSiC（炭化ケイ素）は、シリコンと炭素の化合物であるSiCと、ガリウムと窒素の化合物であるGaNという、シリコンとは異なる組成の半導体です。また、SiCやGaNはシリコンに比べてバンドギャップが広いという特徴があります。

GaNおよびSiCパワー半導体の主な製品は、SiCパワーモジュール、GaNパワーモジュール、SiCディスクリートコンポーネント、GaNディスクリートコンポーネントです。SiCパワーモジュールは、特に炭化ケイ素半導体をスイッチとして設計されています。これらのコンポーネントは、電源、産業用モータードライブ、ハイブリッド車や電気自動車（H/EV）、太陽光発電インバーター、トラクションシステムなど、さまざまな分野で応用されており、市場の直接チャネルと間接チャネルの両方を通じて流通しています。

GaNおよびSiCパワー半導体の市場規模は近年飛躍的に成長しています。2023年の11億9000万米ドルからCAGR21.1%で成長し、2024年には14億4000万米ドルに達する見込みです。GaNおよびSiCパワー半導体の成長は、さまざまな産業におけるエネルギー効率に対する需要の増加、ハイパワーアプリケーションに対する業界のニーズ、小型化と動作周波数の向上、高温・高電圧への対応能力の強化、この技術におけるコスト競争力の継続的な向上など、いくつかの要因によるものです。

GaNおよびSiCパワー半導体の市場規模は、今後数年間で急成長が見込まれています。2028年にはCAGR19.1%で29億6000万米ドルに達する見込みです。今後予想される成長は、電気自動車需要の増加、再生可能エネルギー源の拡大、5Gおよび通信インフラの広範な展開、産業オートメーションおよびIoT（モノのインターネット）技術の成長、家庭用電化製品市場の上昇など、いくつかの要因によって牽引されると思われます。今後の主な動向には、自動車産業におけるGaNおよびSiCパワー半導体の採用の高まり、環境持続可能性とクリーンエネルギーソリューションの重視の高まり、さまざまなアプリケーションにおけるエネルギー効率の重視、小型化の進展と高周波数での動作能力、家庭用電化製品の領域における技術の進歩と革新が含まれます。

電気自動車の普及は、当面の間、GaN および SiC パワー半導体市場の拡大を牽引することになると思われます。電気自動車は、外部バッテリーから電力を取り出す電動モーターを特徴とし、効率的なパワートランジスタや集積回路に窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を活用します。一方、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体は、絶縁破壊電界強度がシリコンの10倍、電気自動車のバンドギャップが3倍になるなど、シリコンを上回る顕著な利点を提供します。





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