熱特性に優れたパッケージに封止されたP2ファミリは非常に高い電気特性を実現し厳しい高出力アプリケーションを確実にサポート
エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices（CGD）( (リンク ») )は新しいダイと新しいパッケージで設計された最小レベルのオン抵抗（RDS(on)）を持つ部品を発表しました。新製品はデータセンター、インバータ、モーター・ドライブ、産業用電源などの高出力アプリケーションでGaNのメリットを提供します。新しいICeGaN(TM) P2シリーズICは25mΩという低いRDS(on)レベルを特長としており、最高レベルの効率でマルチkWの電力レベルをサポートします。
[画像: (リンク ») ]
Andrea Bricconi | 最高商務責任者、CGD
「AIが爆発的な成長し、電力消費が大幅に増加した結果、データセンターのシステム設計者は高出力で効率的な電源ソリューションにGaNを優先的に使用するようになっています。高密度コンピューティングのトレンドで求められる最近のTDP要件に対応し、ラック当たり100kW以上の高い電力密度をお客様とパートナーに提供する目標を掲げるCGDにとって、今回発表した新シリーズのPower GaN ICは重要なステップとなります。モーター制御インバータにおいては開発者が熱の発生を減少させて小型で長寿命のシステム電力を得るために、GaNに注目しています。上記の2つ以外の市場に対しても、CGDでは積極的に新しい高出力ICeGaN ICのターゲットとしています。P2シリーズのICはゲート・ドライバ設計の簡素化とシステム・コストの削減に加え、先進的な高性能パッケージの採用を特長としており、これらのアプリケーションに最適な選択肢となっています。
ICeGaN ICは高速スイッチング時のシュートスルー損失を抑制するためにミラー・クランプがオンチップで組み込まれ、逆導通損失を最小化するために0Vターンオフを実装しているため、ディスクリートのeモードGaNや他の既存テクノロジーに比較して性能面で優位です。新しく採用したパッケージは0.28K/Wという低い熱抵抗を実現しており、現在流通している製品と同等かそれ以上に優れています。また、デュアル・サイドDHDFN-9-1（デュアル・ヒート・スプレッダDFN）パッケージはデュアル・ゲートのピン配置になっているため、最適なPCBレイアウトと拡張性の高いシンプルな並列接続がしやすく、マルチkWのアプリケーションに使用しやすいという特長を持っています。新しいパッケージは生産性の向上という面でも優れ、光学検査の簡素化が可能なウェッタブル・フランクを採用しています。
新しいICeGaNパワーIC P2シリーズは現在サンプル出荷中です。このファミリはRDS(on)レベルが25 mΩと55 mΩ、定格電流が60 Aと27 Aの組み合わせで4種類の製品が用意されており、フットプリントは10 x 10 mmでBHDFN-9-1（ボトム・ヒート・スプレッダDFN）に封止されています。他のCGD ICeGaN製品と同様、P2シリーズは標準的なMOSFETまたはIGBTドライバを使用して駆動することができます。
新しいP2デバイスを搭載したデモ・ボードとして、フランスの公的研究開発機関IFP Energies nouvellesと共同で開発した3相車載インバータのシングルレグのデモ・ボードと、3kWのトーテムポール式力率改善デモ・ボードの2種類が用意されています。
新しいP2シリーズICeGaN GaNパワーICとデモ・ボードは2024年6月11日から13日までドイツのニュルンベルクのNürnberg Messeで開催されるPCIM展示会のCGDブース#7 643にて公開されています。
Cambridge GaN Devicesについて
Cambridge GaN Devices（CGD）はエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業です。CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはICeGaN(TM)テクノロジーが大量生産に適していることを実績によって示しており、製造パートナーシップと顧客パートナーシップを急速に拡大しています。ファブレス企業のCGDはケンブリッジ大学からスピンアウトした企業です。創業者兼CEOのGiorgia Longobardi博士とCTOのFlorin Udrea教授は同大学の世界的に有名なHigh Voltage Microelectronics and Sensors（HVMS）グループと強い結びつきを持っています。CGDのICeGaN HEMTテクノロジーはイノベーションへのコミットメントで獲得した継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は同社の独自技術が市場で受け入れられる基盤になっています。
プレスリリース提供：PR TIMES (リンク »)
エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices（CGD）( (リンク ») )は新しいダイと新しいパッケージで設計された最小レベルのオン抵抗（RDS(on)）を持つ部品を発表しました。新製品はデータセンター、インバータ、モーター・ドライブ、産業用電源などの高出力アプリケーションでGaNのメリットを提供します。新しいICeGaN(TM) P2シリーズICは25mΩという低いRDS(on)レベルを特長としており、最高レベルの効率でマルチkWの電力レベルをサポートします。
[画像: (リンク ») ]
Andrea Bricconi | 最高商務責任者、CGD
「AIが爆発的な成長し、電力消費が大幅に増加した結果、データセンターのシステム設計者は高出力で効率的な電源ソリューションにGaNを優先的に使用するようになっています。高密度コンピューティングのトレンドで求められる最近のTDP要件に対応し、ラック当たり100kW以上の高い電力密度をお客様とパートナーに提供する目標を掲げるCGDにとって、今回発表した新シリーズのPower GaN ICは重要なステップとなります。モーター制御インバータにおいては開発者が熱の発生を減少させて小型で長寿命のシステム電力を得るために、GaNに注目しています。上記の2つ以外の市場に対しても、CGDでは積極的に新しい高出力ICeGaN ICのターゲットとしています。P2シリーズのICはゲート・ドライバ設計の簡素化とシステム・コストの削減に加え、先進的な高性能パッケージの採用を特長としており、これらのアプリケーションに最適な選択肢となっています。
ICeGaN ICは高速スイッチング時のシュートスルー損失を抑制するためにミラー・クランプがオンチップで組み込まれ、逆導通損失を最小化するために0Vターンオフを実装しているため、ディスクリートのeモードGaNや他の既存テクノロジーに比較して性能面で優位です。新しく採用したパッケージは0.28K/Wという低い熱抵抗を実現しており、現在流通している製品と同等かそれ以上に優れています。また、デュアル・サイドDHDFN-9-1（デュアル・ヒート・スプレッダDFN）パッケージはデュアル・ゲートのピン配置になっているため、最適なPCBレイアウトと拡張性の高いシンプルな並列接続がしやすく、マルチkWのアプリケーションに使用しやすいという特長を持っています。新しいパッケージは生産性の向上という面でも優れ、光学検査の簡素化が可能なウェッタブル・フランクを採用しています。
新しいICeGaNパワーIC P2シリーズは現在サンプル出荷中です。このファミリはRDS(on)レベルが25 mΩと55 mΩ、定格電流が60 Aと27 Aの組み合わせで4種類の製品が用意されており、フットプリントは10 x 10 mmでBHDFN-9-1（ボトム・ヒート・スプレッダDFN）に封止されています。他のCGD ICeGaN製品と同様、P2シリーズは標準的なMOSFETまたはIGBTドライバを使用して駆動することができます。
新しいP2デバイスを搭載したデモ・ボードとして、フランスの公的研究開発機関IFP Energies nouvellesと共同で開発した3相車載インバータのシングルレグのデモ・ボードと、3kWのトーテムポール式力率改善デモ・ボードの2種類が用意されています。
新しいP2シリーズICeGaN GaNパワーICとデモ・ボードは2024年6月11日から13日までドイツのニュルンベルクのNürnberg Messeで開催されるPCIM展示会のCGDブース#7 643にて公開されています。
Cambridge GaN Devicesについて
Cambridge GaN Devices（CGD）はエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業です。CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはICeGaN(TM)テクノロジーが大量生産に適していることを実績によって示しており、製造パートナーシップと顧客パートナーシップを急速に拡大しています。ファブレス企業のCGDはケンブリッジ大学からスピンアウトした企業です。創業者兼CEOのGiorgia Longobardi博士とCTOのFlorin Udrea教授は同大学の世界的に有名なHigh Voltage Microelectronics and Sensors（HVMS）グループと強い結びつきを持っています。CGDのICeGaN HEMTテクノロジーはイノベーションへのコミットメントで獲得した継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は同社の独自技術が市場で受け入れられる基盤になっています。
プレスリリース提供：PR TIMES (リンク »)
本プレスリリースは発表元企業よりご投稿いただいた情報を掲載しております。
お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。
お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。
