株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「GaN半導体デバイスの世界市場」（Global Industry Analysts, Inc.）の販売を2月27日より開始いたしました。
【当レポートの詳細目次】
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GaN半導体デバイスの世界市場は2030年までに177億米ドルに到達
2024年に57億米ドルと推定されるGaN半導体デバイスの世界市場は、分析期間2024-2030年にCAGR 20.9%で成長し、2030年には177億米ドルに達すると予測されます。本レポートで分析したセグメントの1つであるオプト半導体は、CAGR 19.4%を記録し、分析期間終了時には67億米ドルに達すると予測されます。パワー半導体セグメントの成長率は、分析期間でCAGR 21.1%と推定されます。
米国市場は16億米ドル、中国はCAGR20.4%で成長すると予測
米国のGaN半導体デバイス市場は、2024年に16億米ドルと推定されます。世界第2位の経済大国である中国は、2030年までに28億米ドルの市場規模に達すると予測され、分析期間2024-2030年のCAGRは20.4%です。その他の注目すべき地域別市場としては、日本とカナダがあり、分析期間中のCAGRはそれぞれ18.1％と17.5％と予測されています。欧州では、ドイツがCAGR約14.6%で成長すると予測されています。
世界のGaN半導体デバイス市場- 主要動向と促進要因のまとめ
GaN半導体デバイスはエレクトロニクスおよび電力産業にどのような革命をもたらしているか？
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、従来のシリコンベースの半導体よりも大きな利点を提供することで、エレクトロニクスおよび電力業界に変革をもたらしつつあります。ワイドバンドギャップ材料であるGaNは、より高い効率、より速いスイッチング速度、より高い電力密度を可能にし、パワーエレクトロニクス、RF（無線周波数）デバイス、通信などのアプリケーションに理想的です。トランジスタ、ダイオード、アンプなどのGaNデバイスは、シリコンよりも高い電圧と温度で動作するため、性能の向上とエネルギー損失の低減につながります。これらの特質は、電気自動車（EV）、5Gインフラ、再生可能エネルギー・システムなど、効率、小型化、電力管理が重要な分野で特に価値があります。
GaN半導体デバイスの最もインパクトのある用途のひとつは電力変換システムで、シリコンベースの部品に代わるより効率的な選択肢を提供します。例えば、GaNトランジスタは、はるかに高い周波数でスイッチングできるため、より小型、軽量、高効率の電源が可能になります。これは、より小型でエネルギー効率に優れたデバイスへの需要が絶えず高まっている家電製品のような産業では特に有益です。GaNデバイスはまた、データセンターや通信などの高性能アプリケーションにも採用されており、より高速なデータ・トランスミッションと低消費電力が可能になり、運用コストと環境への影響の低減に貢献しています。世界がよりエネルギー効率の高い技術へとシフトする中、GaN半導体デバイスは、エレクトロニクスと電力システムの未来を牽引する重要な役割を果たす用意があります。
どのような技術の進歩がGaN半導体デバイスの性能を高めていますか？
いくつかの技術的進歩により、GaN半導体デバイスの性能とスケーラビリティが大幅に向上し、様々なハイテクアプリケーションでの使用がより現実的になっています。主な発展の一つは、GaNオンシリコン（GaN-on-Si）技術の開発であり、これによりGaNデバイスは標準的なシリコン基板を使用して製造できるようになりました。この技術革新は、GaNの高性能特性を維持しながら製造コストを削減し、低価格でのGaNデバイスの大量生産を可能にします。GaN-on-Si技術はまた、既存のシリコンベースのシステムとの統合を容易にし、産業界が製造工程を大幅に変更することなくGaNデバイスを採用することを容易にします。
もう一つの大きな進歩は、GaNデバイスの熱管理技術の改善です。GaNはシリコンよりも高い温度と電力密度で動作するため、効果的な放熱はデバイスの信頼性と性能を維持するために不可欠です。GaNデバイスの熱伝導性を向上させ、過熱することなく高い電力負荷に対応できるようにするために、新しいパッケージング技術やマテリアルが開発されています。これは、GaNデバイスが厳しい環境で使用される電気自動車、航空宇宙、産業用オートメーションなどの大電力アプリケーションにおいて特に重要です。このような進歩により、GaN半導体デバイスの応用範囲は拡大し、民生用電子機器から重工業用機器に至るまで、あらゆる用途に適しています。
さらに、製造プロセスの進歩により、より小型で効率的なGaNトランジスタ、ダイオード、アンプの製造が可能になっています。例えば、GaN技術に基づく高電子移動度トランジスタ（HEMT）は現在、100GHzを超える周波数で動作可能であり、5Gネットワークや衛星通信を含む次世代通信システムに最適です。高性能を維持しながらGaNデバイスを小型化できるようになったことで、コンパクトで高効率なパワーエレクトロニクスやRFシステムに新たな可能性が生まれ、さまざまな産業でイノベーションが進んでいます。このような技術の進歩により、GaN半導体デバイスはエネルギー効率の高い高性能エレクトロニクスをリードし続けています。
GaN半導体デバイスは、電気自動車、5G、再生可能エネルギーの成長をどのようにサポートしていますか？
GaN半導体デバイスは、電気自動車（EV）、5Gインフラ、再生可能エネルギー技術の成長をサポートするために、これらの急速に発展する分野に必要な高効率、電力密度、性能を提供することで、重要な役割を果たしています。EV業界では、GaNデバイスが車載充電器、インバーター、電力管理システムでより効率的な電力変換を可能にしています。従来のシリコン部品に比べ、スイッチング速度が速く、エネルギー損失が少ないため、エネルギー効率が向上し、より軽量でコンパクトなシステムを実現することができ、ひいては走行距離の延長や充電時間の短縮につながります。GaN技術は、自動車メーカーがEVに搭載するパワーエレクトロニクスの小型・軽量化に貢献し、車両全体の効率と性能の向上に寄与するとともに、EVシステムのコストと複雑さを軽減しています。
通信分野では、GaN半導体デバイスは、より高周波で高出力のRFコンポーネントを必要とする5Gネットワークの展開に不可欠です。ミリ波周波数（30～300GHz）で高い電力効率で動作するGaNの能力は、5G基地局、RFアンプ、スモールセルネットワークに最適です。これらのデバイスは、より高速なデータ・トランスミッション、低遅延、帯域幅の拡大をサポートし、これらはすべて5G通信の高速、低遅延要件に不可欠です。GaN技術はまた、5Gネットワークが世界的に拡大する中で重要な要素である、通信インフラにおけるエネルギー消費の削減にも貢献しています。
再生可能エネルギー・システムでは、GaNデバイスは電力コンバータやインバータの効率向上に使用されており、ソーラーパネルや風力タービンなどのエネルギー源から利用可能な電力に変換するために不可欠です。GaNの高効率と低電力損失は、より効果的なエネルギー変換を可能にし、無駄を省き、再生可能エネルギーシステム全体の出力を増加させます。このため、GaN半導体デバイスは、ソーラー・インバータ、風力発電コンバータ、エネルギー貯蔵システムの性能を最適化する上で極めて重要です。世界がより環境に優しいエネルギー源への移行を続ける中、GaN技術は再生可能エネルギーインフラの効率と信頼性を最大化するのに役立っています。
GaN半導体デバイス市場の成長の原動力は？
エネルギー効率の高い技術に対する需要の増加、電気自動車の拡大、5Gネットワークの展開など、いくつかの要因がGaN半導体デバイス市場の急成長を後押ししています。主な促進要因の1つは、エネルギー効率と持続可能性に向けた世界の推進力です。産業界、政府、消費者がエネルギー消費の削減と環境への影響の最小化を求める中、GaNデバイスは従来のシリコン部品よりも高効率で電力損失が少ないため、重要なソリューションとして台頭しています。家電、自動車、通信などの分野では、よりエネルギー効率の高い電力変換システムが求められており、GaNデバイスの採用が進んでいます。
電気自動車（EV）の台頭もGaN市場の成長に寄与する大きな要因のひとつです。自動車メーカーがEV開発とインフラへの投資を続ける中、より効率的なパワーエレクトロニクスへのニーズが高まっています。GaNデバイスは、サイズ、重量、エネルギー効率の点でシリコンを大きく上回る利点を備えており、EVのパワートレイン、充電システム、電力管理に理想的な選択肢となっています。世界各国の政府が電気自動車の普及に意欲的な目標を掲げていることから、GaNベースのパワーエレクトロニクスに対する需要は今後数年で急増すると予想されます。
5Gネットワークの世界の展開もGaN半導体デバイス市場の主要な促進要因です。通信事業者が5Gのより高い周波数とより高速なデータレートをサポートするために必要なインフラを構築するにつれ、RFアプリケーションにおける優れた性能を持つGaNデバイスが広く採用されるようになっています。電力損失を最小限に抑えながら高周波で動作するGaNの能力は、5G基地局、アンテナ、RFアンプに不可欠な部品となっています。5Gの拡大は、通信事業者が次世代ワイヤレス通信ネットワークの展開を継続する中で、GaN半導体デバイスの持続的な需要を促進すると予想されます。
GaN半導体デバイスの開発を形作る今後の動向は？
GaNとシリコンの統合の進展、パッケージング技術の先進化、コンシューマーエレクトロニクスにおけるGaNの台頭など、いくつかの新たな動向がGaN半導体デバイスの将来の開発を形成しています。最も注目すべき動向の一つは、GaN-on-Si（GaN-on-Si）技術の利用の増加であり、これはシリコンのコスト効率と拡張性とGaNの優れた性能を組み合わせたものです。このハイブリッド・アプローチは、GaNデバイスをより手頃な価格にし、既存のシリコン・ベースのシステムへの統合を容易にすることで、業界全体への幅広い採用を促進しています。GaN-on-Si技術は、コストと性能のバランスを慎重に考慮する必要がある家電製品のような大量生産市場において特に魅力的です。
もう一つの重要な動向は、GaNデバイスの先進パッケージング技術です。GaNはシリコンよりも高い電力密度と温度で動作するため、信頼性と性能を維持するためには効果的な熱管理とパッケージングが不可欠です。チップスケールパッケージング（CSP）や先進サーマルマテリアルなどのパッケージングの革新により、GaNデバイスはサイズと重量を減らしながら、より高い電力負荷に対応できるようになっています。これらの進歩は、スペースと熱の制約が重要な電気自動車、航空宇宙、産業オートメーションなどのアプリケーションにとって極めて重要です。パッケージング・ソリューションの改善により、要求の厳しい環境でのGaNデバイスの使用はさらに拡大するでしょう。
民生用電子機器におけるGaNの使用の増加は、この市場の将来を形作るもう一つの動向です。例えば、GaNベースの電源アダプタや充電器は、そのコンパクトなサイズと高い効率性により普及しつつあります。GaNトランジスタは、より高速、低温、小型の電源を可能にし、ノートパソコン、スマートフォン、その他の携帯機器に最適です。消費者がより小型で効率的な電子機器を求める中、GaN技術は民生用電子機器市場の標準となる準備が整っています。このような動向の進展に伴い、GaN半導体デバイスは、広範な産業の革新と効率化を推進する上で、ますます重要な役割を果たすことになるでしょう。
セグメント
セグメント（光半導体、パワー半導体、GaN高周波デバイス）、エンドユーザー（自動車、家電、航空宇宙・防衛、ヘルスケア、情報通信技術、その他のエンドユーザー）
調査対象企業の例（注目の17社）
・Bridgelux, Inc.
・Cree, Inc.
・Infineon Technologies AG
・Nichia Corporation
・NXP Semiconductors NV
・Osram Opto Semiconductors GmbH
・Qorvo, Inc.
・Toyoda Gosei Co., Ltd.
目次
第1章 調査手法
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 市場分析
第4章 競合
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【本件に関するお問い合わせ先】
＜アジア最大の市場調査レポート販売代理店＞
株式会社グローバルインフォメーション
マーケティング部
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【会社概要】
1995年の創立以来、海外市場調査レポートの販売を通じて企業のグローバル展開を支援しています。世界5カ国に拠点を持ち、海外の提携調査会社200社以上が発行する調査資料約15万点をワンストップでご提供。市場情報販売のグローバル・リーディングカンパニーを目指し、企業ならびに社会の発展に寄与すべく、お客様にとって真に価値ある情報をお届けしています。
創立：1995年
所在地：215-0004 神奈川県川崎市麻生区万福寺1-2-3 アーシスビル7F
事業内容：市場調査レポート／年間契約型情報サービスの販売、委託調査の受託
市場調査レポート／年間契約型情報サービス： (リンク »)
委託調査： (リンク »)
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当社は、2020年12月24日に東京証券取引所へ上場いたしました（東証スタンダード市場：4171）。
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GaN半導体デバイスの世界市場は2030年までに177億米ドルに到達
2024年に57億米ドルと推定されるGaN半導体デバイスの世界市場は、分析期間2024-2030年にCAGR 20.9%で成長し、2030年には177億米ドルに達すると予測されます。本レポートで分析したセグメントの1つであるオプト半導体は、CAGR 19.4%を記録し、分析期間終了時には67億米ドルに達すると予測されます。パワー半導体セグメントの成長率は、分析期間でCAGR 21.1%と推定されます。
米国市場は16億米ドル、中国はCAGR20.4%で成長すると予測
米国のGaN半導体デバイス市場は、2024年に16億米ドルと推定されます。世界第2位の経済大国である中国は、2030年までに28億米ドルの市場規模に達すると予測され、分析期間2024-2030年のCAGRは20.4%です。その他の注目すべき地域別市場としては、日本とカナダがあり、分析期間中のCAGRはそれぞれ18.1％と17.5％と予測されています。欧州では、ドイツがCAGR約14.6%で成長すると予測されています。
世界のGaN半導体デバイス市場- 主要動向と促進要因のまとめ
GaN半導体デバイスはエレクトロニクスおよび電力産業にどのような革命をもたらしているか？
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、従来のシリコンベースの半導体よりも大きな利点を提供することで、エレクトロニクスおよび電力業界に変革をもたらしつつあります。ワイドバンドギャップ材料であるGaNは、より高い効率、より速いスイッチング速度、より高い電力密度を可能にし、パワーエレクトロニクス、RF（無線周波数）デバイス、通信などのアプリケーションに理想的です。トランジスタ、ダイオード、アンプなどのGaNデバイスは、シリコンよりも高い電圧と温度で動作するため、性能の向上とエネルギー損失の低減につながります。これらの特質は、電気自動車（EV）、5Gインフラ、再生可能エネルギー・システムなど、効率、小型化、電力管理が重要な分野で特に価値があります。
GaN半導体デバイスの最もインパクトのある用途のひとつは電力変換システムで、シリコンベースの部品に代わるより効率的な選択肢を提供します。例えば、GaNトランジスタは、はるかに高い周波数でスイッチングできるため、より小型、軽量、高効率の電源が可能になります。これは、より小型でエネルギー効率に優れたデバイスへの需要が絶えず高まっている家電製品のような産業では特に有益です。GaNデバイスはまた、データセンターや通信などの高性能アプリケーションにも採用されており、より高速なデータ・トランスミッションと低消費電力が可能になり、運用コストと環境への影響の低減に貢献しています。世界がよりエネルギー効率の高い技術へとシフトする中、GaN半導体デバイスは、エレクトロニクスと電力システムの未来を牽引する重要な役割を果たす用意があります。
どのような技術の進歩がGaN半導体デバイスの性能を高めていますか？
いくつかの技術的進歩により、GaN半導体デバイスの性能とスケーラビリティが大幅に向上し、様々なハイテクアプリケーションでの使用がより現実的になっています。主な発展の一つは、GaNオンシリコン（GaN-on-Si）技術の開発であり、これによりGaNデバイスは標準的なシリコン基板を使用して製造できるようになりました。この技術革新は、GaNの高性能特性を維持しながら製造コストを削減し、低価格でのGaNデバイスの大量生産を可能にします。GaN-on-Si技術はまた、既存のシリコンベースのシステムとの統合を容易にし、産業界が製造工程を大幅に変更することなくGaNデバイスを採用することを容易にします。
もう一つの大きな進歩は、GaNデバイスの熱管理技術の改善です。GaNはシリコンよりも高い温度と電力密度で動作するため、効果的な放熱はデバイスの信頼性と性能を維持するために不可欠です。GaNデバイスの熱伝導性を向上させ、過熱することなく高い電力負荷に対応できるようにするために、新しいパッケージング技術やマテリアルが開発されています。これは、GaNデバイスが厳しい環境で使用される電気自動車、航空宇宙、産業用オートメーションなどの大電力アプリケーションにおいて特に重要です。このような進歩により、GaN半導体デバイスの応用範囲は拡大し、民生用電子機器から重工業用機器に至るまで、あらゆる用途に適しています。
さらに、製造プロセスの進歩により、より小型で効率的なGaNトランジスタ、ダイオード、アンプの製造が可能になっています。例えば、GaN技術に基づく高電子移動度トランジスタ（HEMT）は現在、100GHzを超える周波数で動作可能であり、5Gネットワークや衛星通信を含む次世代通信システムに最適です。高性能を維持しながらGaNデバイスを小型化できるようになったことで、コンパクトで高効率なパワーエレクトロニクスやRFシステムに新たな可能性が生まれ、さまざまな産業でイノベーションが進んでいます。このような技術の進歩により、GaN半導体デバイスはエネルギー効率の高い高性能エレクトロニクスをリードし続けています。
GaN半導体デバイスは、電気自動車、5G、再生可能エネルギーの成長をどのようにサポートしていますか？
GaN半導体デバイスは、電気自動車（EV）、5Gインフラ、再生可能エネルギー技術の成長をサポートするために、これらの急速に発展する分野に必要な高効率、電力密度、性能を提供することで、重要な役割を果たしています。EV業界では、GaNデバイスが車載充電器、インバーター、電力管理システムでより効率的な電力変換を可能にしています。従来のシリコン部品に比べ、スイッチング速度が速く、エネルギー損失が少ないため、エネルギー効率が向上し、より軽量でコンパクトなシステムを実現することができ、ひいては走行距離の延長や充電時間の短縮につながります。GaN技術は、自動車メーカーがEVに搭載するパワーエレクトロニクスの小型・軽量化に貢献し、車両全体の効率と性能の向上に寄与するとともに、EVシステムのコストと複雑さを軽減しています。
通信分野では、GaN半導体デバイスは、より高周波で高出力のRFコンポーネントを必要とする5Gネットワークの展開に不可欠です。ミリ波周波数（30～300GHz）で高い電力効率で動作するGaNの能力は、5G基地局、RFアンプ、スモールセルネットワークに最適です。これらのデバイスは、より高速なデータ・トランスミッション、低遅延、帯域幅の拡大をサポートし、これらはすべて5G通信の高速、低遅延要件に不可欠です。GaN技術はまた、5Gネットワークが世界的に拡大する中で重要な要素である、通信インフラにおけるエネルギー消費の削減にも貢献しています。
再生可能エネルギー・システムでは、GaNデバイスは電力コンバータやインバータの効率向上に使用されており、ソーラーパネルや風力タービンなどのエネルギー源から利用可能な電力に変換するために不可欠です。GaNの高効率と低電力損失は、より効果的なエネルギー変換を可能にし、無駄を省き、再生可能エネルギーシステム全体の出力を増加させます。このため、GaN半導体デバイスは、ソーラー・インバータ、風力発電コンバータ、エネルギー貯蔵システムの性能を最適化する上で極めて重要です。世界がより環境に優しいエネルギー源への移行を続ける中、GaN技術は再生可能エネルギーインフラの効率と信頼性を最大化するのに役立っています。
GaN半導体デバイス市場の成長の原動力は？
エネルギー効率の高い技術に対する需要の増加、電気自動車の拡大、5Gネットワークの展開など、いくつかの要因がGaN半導体デバイス市場の急成長を後押ししています。主な促進要因の1つは、エネルギー効率と持続可能性に向けた世界の推進力です。産業界、政府、消費者がエネルギー消費の削減と環境への影響の最小化を求める中、GaNデバイスは従来のシリコン部品よりも高効率で電力損失が少ないため、重要なソリューションとして台頭しています。家電、自動車、通信などの分野では、よりエネルギー効率の高い電力変換システムが求められており、GaNデバイスの採用が進んでいます。
電気自動車（EV）の台頭もGaN市場の成長に寄与する大きな要因のひとつです。自動車メーカーがEV開発とインフラへの投資を続ける中、より効率的なパワーエレクトロニクスへのニーズが高まっています。GaNデバイスは、サイズ、重量、エネルギー効率の点でシリコンを大きく上回る利点を備えており、EVのパワートレイン、充電システム、電力管理に理想的な選択肢となっています。世界各国の政府が電気自動車の普及に意欲的な目標を掲げていることから、GaNベースのパワーエレクトロニクスに対する需要は今後数年で急増すると予想されます。
5Gネットワークの世界の展開もGaN半導体デバイス市場の主要な促進要因です。通信事業者が5Gのより高い周波数とより高速なデータレートをサポートするために必要なインフラを構築するにつれ、RFアプリケーションにおける優れた性能を持つGaNデバイスが広く採用されるようになっています。電力損失を最小限に抑えながら高周波で動作するGaNの能力は、5G基地局、アンテナ、RFアンプに不可欠な部品となっています。5Gの拡大は、通信事業者が次世代ワイヤレス通信ネットワークの展開を継続する中で、GaN半導体デバイスの持続的な需要を促進すると予想されます。
GaN半導体デバイスの開発を形作る今後の動向は？
GaNとシリコンの統合の進展、パッケージング技術の先進化、コンシューマーエレクトロニクスにおけるGaNの台頭など、いくつかの新たな動向がGaN半導体デバイスの将来の開発を形成しています。最も注目すべき動向の一つは、GaN-on-Si（GaN-on-Si）技術の利用の増加であり、これはシリコンのコスト効率と拡張性とGaNの優れた性能を組み合わせたものです。このハイブリッド・アプローチは、GaNデバイスをより手頃な価格にし、既存のシリコン・ベースのシステムへの統合を容易にすることで、業界全体への幅広い採用を促進しています。GaN-on-Si技術は、コストと性能のバランスを慎重に考慮する必要がある家電製品のような大量生産市場において特に魅力的です。
もう一つの重要な動向は、GaNデバイスの先進パッケージング技術です。GaNはシリコンよりも高い電力密度と温度で動作するため、信頼性と性能を維持するためには効果的な熱管理とパッケージングが不可欠です。チップスケールパッケージング（CSP）や先進サーマルマテリアルなどのパッケージングの革新により、GaNデバイスはサイズと重量を減らしながら、より高い電力負荷に対応できるようになっています。これらの進歩は、スペースと熱の制約が重要な電気自動車、航空宇宙、産業オートメーションなどのアプリケーションにとって極めて重要です。パッケージング・ソリューションの改善により、要求の厳しい環境でのGaNデバイスの使用はさらに拡大するでしょう。
民生用電子機器におけるGaNの使用の増加は、この市場の将来を形作るもう一つの動向です。例えば、GaNベースの電源アダプタや充電器は、そのコンパクトなサイズと高い効率性により普及しつつあります。GaNトランジスタは、より高速、低温、小型の電源を可能にし、ノートパソコン、スマートフォン、その他の携帯機器に最適です。消費者がより小型で効率的な電子機器を求める中、GaN技術は民生用電子機器市場の標準となる準備が整っています。このような動向の進展に伴い、GaN半導体デバイスは、広範な産業の革新と効率化を推進する上で、ますます重要な役割を果たすことになるでしょう。
セグメント
セグメント（光半導体、パワー半導体、GaN高周波デバイス）、エンドユーザー（自動車、家電、航空宇宙・防衛、ヘルスケア、情報通信技術、その他のエンドユーザー）
調査対象企業の例（注目の17社）
・Bridgelux, Inc.
・Cree, Inc.
・Infineon Technologies AG
・Nichia Corporation
・NXP Semiconductors NV
・Osram Opto Semiconductors GmbH
・Qorvo, Inc.
・Toyoda Gosei Co., Ltd.
目次
第1章 調査手法
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 市場分析
第4章 競合
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所在地：215-0004 神奈川県川崎市麻生区万福寺1-2-3 アーシスビル7F
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