【GⅡ】GAN半導体市場：製品別、構成部品別、ウエハーサイズ別、最終用途別、国別、地域別―世界の業界分析、市場規模、市場シェアおよび2025年から2032年までの予測

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「GAN半導体市場：製品別、構成部品別、ウエハーサイズ別、最終用途別、国別、地域別―世界の業界分析、市場規模、市場シェアおよび2025年から2032年までの予測」（AnalystView Market Insights）の販売を6月8日より開始いたしました。

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2024年のGaN半導体市場の規模は32億3,456万米ドルと評価され、2025年から2032年にかけてCAGR27.56％で拡大すると見込まれています。

窒化ガリウム（GaN）半導体はあらゆる電子機器に広く使用されており、シリコンよりもはるかに優れた電気的特性を有する「窒化ガリウム」と呼ばれるワイドバンドギャップ半導体材料を基盤としています。この材料では、価電子帯と伝導帯のエネルギー差が非常に大きく、これがワイドバンドギャップとして知られています。この高いバンドギャップエネルギーに加え、高い耐圧と優れた熱伝導率により、より高い電圧および周波数での動作において、さらに高速なスイッチングが可能となります。窒化ガリウムトランジスタが使用されている代表的な例としては、パワーエレクトロニクス、無線周波数（RF）、光電子デバイス、電気自動車（EV）のパワートレイン、急速充電器、グリーンエネルギー、インバーター、衛星などが挙げられます。

GaN半導体市場- 市場力学

目次
第1章 GAN半導体市場概要
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 GAN半導体主要市場動向
第4章 GAN半導体要素研究
第5章 GAN半導体市場：高まる地政学的緊張の影響
第6章 GAN半導体市場情勢
第7章 GAN半導体市場：製品別
第8章 GAN半導体市場：コンポーネント別
第9章 GAN半導体市場：ウエハーサイズ別
第10章 GAN半導体市場：エンドユーズ別
第11章 GAN半導体市場：地域別
第12章 主要ベンダー分析：GAN半導体
企業プロファイル
・Fujitsu Ltd.
・Toshiba Corporation
・Efficient Power Conversion Corporation
・Transphorm, Inc.
・NXP Semiconductors
・Infineon Technologies AG
・NTT Advanced Technology Corporation
・Texas Instruments Incorporated
・Qorvo, Inc
・GaN Systems
・Texas Instruments Incorporated
・Navitas Semiconductor
・Semiconductor Components Industries, LLC
・ROHM Co., Ltd.
・AGNIT Semiconductors Pvt. Ltd.
・Cambridge GaN Devices
第13章 AnalystViewの全方位展望

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