ワイドバンドギャップ半導体の市場規模、2035年に68億米ドル到達予測

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「ワイドバンドギャップ半導体市場の機会、成長要因、業界動向分析、および2026年～2035年の予測」（Global Market Insights Inc.）の販売を6月17日より開始いたしました。グローバルインフォメーションはGlobal Market Insights Inc.の日本における正規代理店です。

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ワイドバンドギャップ半導体の市場規模は、2025年の24億米ドルからCAGR10.8％で成長し、2035年までに68億米ドルに達すると予測されています。

この成長は、電動モビリティソリューションの採用拡大、高出力充電インフラの拡充、およびエネルギー効率の高いコンピューティング環境への需要の高まりによって牽引されています。さらに、次世代通信ネットワークの急速な展開により、優れた性能を発揮できる先進的な半導体材料への需要が高まっています。業界では、より高い効率、改善された熱管理、そして優れた電力処理能力を提供する材料への移行が進んでいます。また、メーカー各社は、品質管理と供給の継続性をより確実に確保するため、垂直統合型の生産モデルへと移行しています。継続的な技術の進歩と半導体製造への投資拡大は、市場の見通しをさらに強固なものとしており、ワイドバンドギャップ半導体は次世代電子システムの重要な基盤技術としての地位を確立しています。

ワイドバンドギャップ半導体市場は、効率的なエネルギー変換と高性能アプリケーションをサポートする先進的なパワーデバイスへの需要増加によって牽引されています。電気自動車におけるより効率的なパワートレインシステムへの移行は、炭化ケイ素（SiC）ベースのコンポーネントの採用を加速させています。同時に、大容量充電インフラの拡大により、エネルギー損失を最小限に抑えつつ、より高い電力レベルに対応できる半導体への需要がさらに高まっています。メーカー各社は、生産戦略の強化を通じてサプライチェーンの課題に対処しつつ、性能と信頼性の向上にますます注力しています。

窒化ガリウム（GaN）セグメントは、2026年から2035年にかけてCAGR12.4%で成長すると予測されています。この成長は、様々な用途におけるコンパクトで高周波のパワーソリューションへの需要の高まりに支えられています。これらのデバイスは、より高速なスイッチング能力、効率の向上、システムサイズの小型化を実現し、最適化された性能と省エネが求められる用途に適しています。

ディスクリートデバイス分野は、2026年から2035年にかけてCAGR12.8%で成長すると予測されています。コンパクトで高効率な電子部品への需要の高まりが、これらのデバイスの採用を後押ししています。その拡張性と適応性により、幅広い用途に適しており、大量生産と効率的なシステム設計を支えています。

北米のワイドバンドギャップ半導体市場は、2025年に38.8％のシェアを占めました。同地域では、先端製造セクターからの需要増加や、半導体生産能力への継続的な投資により、力強い成長を遂げています。省エネ技術のためのインフラ拡充や、高性能コンピューティングの継続的な進歩も、市場の発展をさらに後押ししています。国内の半導体生産体制の強化を目的とした活発な投資活動も、先端材料の採用拡大に寄与しています。


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