【画像： (リンク ») 】
川崎--(BUSINESS WIRE (リンク ») )-- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 (リンク ») は、AIデータセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した製品として、当社最新世代プロセス[注１]「U-MOS11-H（ユー・モス・イレブン・エイチ）」を採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH (リンク ») 」を製品化し、本日から出荷を開始します。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。： (リンク »)
【画像： (リンク ») 】
東芝：AIデータセンターの高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス採用の80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」
AI処理の拡大に伴うデータセンターの電力需要増加や、通信インフラの高度化により、スイッチング電源にはさらなる高効率化と小型化（高電力密度化）、およびEMI[注２]低減が強く求められています。電源の損失はシステム全体の消費電力・発熱・冷却負荷へ直結するため、パワー半導体は、導通損失とスイッチング損失をバランスよく低減することが重要です。さらに、EMI、熱設計、実装性といった複数の課題を考慮した、システム全体の設計最適化への貢献も求められています。
新製品は、素子構造を最適化し、当社従来世代プロセスU-MOSⅩ-Hを採用した80V耐圧の当社既存製品「TPM1R908QM」と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(ON)）を約26%低減し、1.4mΩ（max）[注３]を実現しました。さらに、RDS(ON)とゲート入力電荷量（Qg）のトレードオフを改善し、TPM1R908QMと比べてRDS(ON)×Qgを約45%低減しました。これにより、業界トップクラス[注４]の低損失を実現しています。
加えて新製品は、スイッチング時にドレイン・ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。設計後半で手戻り要因になりやすいEMI対策を、デバイス起因のスパイク抑制から行うことで、フィルターやスナバー回路の簡素化にもつながります。
パッケージは、当社従来パッケージSOP Advance(N)と比べて、パッケージ抵抗を約65%、熱抵抗を約15%低減した、SOP Advance(E)を採用しました。発熱を抑えつつ放熱性を高めることで、電源の高出力化・小型化設計を支援します。
また、回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル（G0モデル）に加え、パワー半導体の過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル（G2モデル） (リンク ») も提供します。さらに、当社Webサイト内のオンライン回路シミュレーターでは、シミュレーション環境の構築や素子モデルをダウンロードする手間を省き、Webブラウザー上で手軽に動作検証を行うことができます。（オンライン回路シミュレーターはこちら (リンク ») ）
当社は今後も、電源効率の向上に寄与するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、産業用機器の低消費電力化に貢献していきます。
[注1] 2026年6月現在、当社の低耐圧パワーMOSFET向けプロセスにおいて。
[注2] EMI：Electromagnetic Interferenceの略。外部の電磁波や電場、磁場の影響を受け、電子回路が誤作動すること。
[注3] VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C
[注4] 2026年6月現在、当社調べ。
応用機器
産業用機器
・AIデータセンターや通信基地局などのスイッチング電源
新製品の主な特長
・低いドレイン・ソース間オン抵抗：RDS(ON)=1.4mΩ (max) (VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C)
・ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量が低い：RDS(ON) × Qg＝1.4mΩ × 80nC=112mΩ・nC
(TPM1R908QMの1.9 mΩ×108nC=205.2mΩ・nCと比較して約45%低減)
・パッケージ抵抗と熱抵抗の低いSOP Advance(E)パッケージを採用
新製品の主な仕様
【表： (リンク ») 】
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPM1R408RH (リンク »)
当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MOSFET (リンク »)
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TPM1R408RH
Buy Online (リンク »)
*社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
*本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
businesswire.comでソースバージョンを見る： (リンク »)
Contacts
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワー＆小信号営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ (リンク »)
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
半導体広報・予測調査部
長沢
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp mailto:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Source: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
川崎--(BUSINESS WIRE (リンク ») )-- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 (リンク ») は、AIデータセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した製品として、当社最新世代プロセス[注１]「U-MOS11-H（ユー・モス・イレブン・エイチ）」を採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH (リンク ») 」を製品化し、本日から出荷を開始します。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。： (リンク »)
【画像： (リンク ») 】
東芝：AIデータセンターの高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス採用の80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」
AI処理の拡大に伴うデータセンターの電力需要増加や、通信インフラの高度化により、スイッチング電源にはさらなる高効率化と小型化（高電力密度化）、およびEMI[注２]低減が強く求められています。電源の損失はシステム全体の消費電力・発熱・冷却負荷へ直結するため、パワー半導体は、導通損失とスイッチング損失をバランスよく低減することが重要です。さらに、EMI、熱設計、実装性といった複数の課題を考慮した、システム全体の設計最適化への貢献も求められています。
新製品は、素子構造を最適化し、当社従来世代プロセスU-MOSⅩ-Hを採用した80V耐圧の当社既存製品「TPM1R908QM」と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(ON)）を約26%低減し、1.4mΩ（max）[注３]を実現しました。さらに、RDS(ON)とゲート入力電荷量（Qg）のトレードオフを改善し、TPM1R908QMと比べてRDS(ON)×Qgを約45%低減しました。これにより、業界トップクラス[注４]の低損失を実現しています。
加えて新製品は、スイッチング時にドレイン・ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。設計後半で手戻り要因になりやすいEMI対策を、デバイス起因のスパイク抑制から行うことで、フィルターやスナバー回路の簡素化にもつながります。
パッケージは、当社従来パッケージSOP Advance(N)と比べて、パッケージ抵抗を約65%、熱抵抗を約15%低減した、SOP Advance(E)を採用しました。発熱を抑えつつ放熱性を高めることで、電源の高出力化・小型化設計を支援します。
また、回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル（G0モデル）に加え、パワー半導体の過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル（G2モデル） (リンク ») も提供します。さらに、当社Webサイト内のオンライン回路シミュレーターでは、シミュレーション環境の構築や素子モデルをダウンロードする手間を省き、Webブラウザー上で手軽に動作検証を行うことができます。（オンライン回路シミュレーターはこちら (リンク ») ）
当社は今後も、電源効率の向上に寄与するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、産業用機器の低消費電力化に貢献していきます。
[注1] 2026年6月現在、当社の低耐圧パワーMOSFET向けプロセスにおいて。
[注2] EMI：Electromagnetic Interferenceの略。外部の電磁波や電場、磁場の影響を受け、電子回路が誤作動すること。
[注3] VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C
[注4] 2026年6月現在、当社調べ。
応用機器
産業用機器
・AIデータセンターや通信基地局などのスイッチング電源
新製品の主な特長
・低いドレイン・ソース間オン抵抗：RDS(ON)=1.4mΩ (max) (VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C)
・ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量が低い：RDS(ON) × Qg＝1.4mΩ × 80nC=112mΩ・nC
(TPM1R908QMの1.9 mΩ×108nC=205.2mΩ・nCと比較して約45%低減)
・パッケージ抵抗と熱抵抗の低いSOP Advance(E)パッケージを採用
新製品の主な仕様
【表： (リンク ») 】
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPM1R408RH (リンク »)
当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MOSFET (リンク »)
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TPM1R408RH
Buy Online (リンク »)
*社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
*本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
businesswire.comでソースバージョンを見る： (リンク »)
Contacts
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワー＆小信号営業推進部
Tel: 044-548-2216
お問い合わせ (リンク »)
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
半導体広報・予測調査部
長沢
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp mailto:semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Source: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
本プレスリリースは発表元企業よりご投稿いただいた情報を掲載しております。
お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。
お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。
