業界トップの解像度と描画速度を持つ新装置VeritySEM(R) 10は半導体メーカーのプロセス開発を加速、量産歩留まりを最大化
アプライド マテリアルズ（Applied Materials, Inc., Nasdaq：AMAT、本社：米国カリフォルニア州サンタクララ、社長兼CEOゲイリー・E・ディッカーソン）は2月28日（現地時間）、EUVおよび新しい高NA EUVリソグラフィでパターニングされた半導体デバイスの微細なフィーチャー寸法を正確に測る新しい電子ビーム計測装置を発表しました。
半導体メーカーはCD-SEM（測長走査型電子顕微鏡）を用いて、リソグラフィスキャナでマスクからフォトレジストに転写されたパターンの寸法をサブナノメートルの精度で計測しています。この計測値に基づき継続的にリソグラフィのプロセス性能をキャリブレーションするため、確実に補正されたパターンがウェーハにエッチングされます。このほかCD-SEMは、エッチング後にウェーハ上の転写結果を意図されたパターンと照合する際にも用いられます。CD-SEMはこうしてエッチングプロセスの制御を助け、リソグラフィとエッチング間にフィードバックループを設けることで、高度な照合データセットをエンジニアに提供して全体的なプロセスチューニングを可能にしています。
EUV、特に高NA EUVの採用によりフォトレジストはさらに薄くなり、デバイスフィーチャーの微細寸法の計測はますます困難になっています。サブナノメートル精度の高解像度画像をCD-SEMで捉えるには、ごく薄いフォトレジストが占める狭いエリアに電子ビームを細く正確に照射する必要があります。電子ビームのエネルギーはフォトレジストと反応するため、ランディングエネルギーが高すぎるとレジストが縮み、パターンが歪んでエラーにつながります。従来のCD-SEMでは、高解像度画像を得るために必要な細い電子ビームを、繊細な高NAフォトレジストとの反応を最小限に抑える低ランディングエネルギーの中で照射することができませんでした。
CD-SEM計測装置VeritySEM(R) 10を発表
アプライド マテリアルズのVeritySEM 10は、低ランディングエネルギーで従来のCD-SEMの2倍の解像度を実現する独自のアーキテクチャを備えています。走査も30％高速化し、フォトレジストとの反応をさらに抑えるとともにスループットも向上します。業界トップの解像度とスキャン速度により、EUVおよび高NA EUVリソグラフィやエッチングプロセスの制御が改善され、半導体メーカーにおけるプロセス開発の加速と量産歩留まりの最大化を支援します。
このほか半導体メーカーは、Gate-All-Around（GAA）ロジックトランジスタや3D NANDメモリなどの3Dデザインにおける微細寸法の計測にVeritySEM 10を採用して、後方散乱電子を用いた深層構造の高解像度描画を実現しています。GAAチップ向けのアプリケーションでは、トランジスタ性能を大きく左右する選択的エピタキシープロセスの計測と特性評価にVeritySEM 10が活用されています。3D NANDメモリでは、本装置の視野の広さと焦点深度の深さを生かしてステアケース配線構造全体の計測が可能で、エッチングプロセスレシピのチューニングに役立ちます。
アプライド マテリアルズのイメージング＆プロセス コントロール担当グループバイスプレジデント、キース・ウェルズ（Keith Wells）は次のように述べています。「VeritySEM 10はCD-SEM技術のブレークスルーとして重要な技術転換点における計測課題を解決し、今後何年にもわたって業界のあり方を形作るでしょう。低いランディングエネルギー、高解像度、高速描画を兼ね備えたこのユニークな装置は、高NA EUV、GAAトランジスタ、高密度3D NANDへの道を開くものといえます」
VeritySEM 10には大手ロジックおよびメモリメーカーから強い引き合いが寄せられており、この1年間で30台以上が出荷されています。この装置は複数のお客様からGAAトランジスタの開発ツールとして採用されており、3D NANDの主要メーカー全社が開発・プロセスツールに、そして複数のDRAMメーカーがプロセスツールとして採用しています。
アプライド マテリアルズのVeritySEM 10に関するその他の情報は、米国時間28日に開催の当社イベントNew Ways to Shrink: Advanced Patterning Products Launch（微細化の新手法：先進的パターニング製品の投入）で取り上げます。
[画像: (リンク ») ]
アプライド マテリアルズ（Nasdaq: AMAT）は、マテリアルズ エンジニアリングのソリューションを提供するリーダーとして、世界中のほぼ全ての半導体チップや先進ディスプレイの製造に寄与します。原子レベルのマテリアル制御を産業規模で実現する専門知識により、お客様が可能性を現実に変えるのを支援します。アプライド マテリアルズはイノベーションを通じてよりよい未来を可能にします。
詳しい情報はホームページwww.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。
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このリリースは2月28日、米国においてアプライド マテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライド マテリアルズ ジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。
アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社（本社：東京都、代表取締役社長：中尾 均）は1979年10月に設立。大阪支店、川崎オフィスのほか15のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。
プレスリリース提供：PR TIMES (リンク »)
アプライド マテリアルズ（Applied Materials, Inc., Nasdaq：AMAT、本社：米国カリフォルニア州サンタクララ、社長兼CEOゲイリー・E・ディッカーソン）は2月28日（現地時間）、EUVおよび新しい高NA EUVリソグラフィでパターニングされた半導体デバイスの微細なフィーチャー寸法を正確に測る新しい電子ビーム計測装置を発表しました。
半導体メーカーはCD-SEM（測長走査型電子顕微鏡）を用いて、リソグラフィスキャナでマスクからフォトレジストに転写されたパターンの寸法をサブナノメートルの精度で計測しています。この計測値に基づき継続的にリソグラフィのプロセス性能をキャリブレーションするため、確実に補正されたパターンがウェーハにエッチングされます。このほかCD-SEMは、エッチング後にウェーハ上の転写結果を意図されたパターンと照合する際にも用いられます。CD-SEMはこうしてエッチングプロセスの制御を助け、リソグラフィとエッチング間にフィードバックループを設けることで、高度な照合データセットをエンジニアに提供して全体的なプロセスチューニングを可能にしています。
EUV、特に高NA EUVの採用によりフォトレジストはさらに薄くなり、デバイスフィーチャーの微細寸法の計測はますます困難になっています。サブナノメートル精度の高解像度画像をCD-SEMで捉えるには、ごく薄いフォトレジストが占める狭いエリアに電子ビームを細く正確に照射する必要があります。電子ビームのエネルギーはフォトレジストと反応するため、ランディングエネルギーが高すぎるとレジストが縮み、パターンが歪んでエラーにつながります。従来のCD-SEMでは、高解像度画像を得るために必要な細い電子ビームを、繊細な高NAフォトレジストとの反応を最小限に抑える低ランディングエネルギーの中で照射することができませんでした。
CD-SEM計測装置VeritySEM(R) 10を発表
アプライド マテリアルズのVeritySEM 10は、低ランディングエネルギーで従来のCD-SEMの2倍の解像度を実現する独自のアーキテクチャを備えています。走査も30％高速化し、フォトレジストとの反応をさらに抑えるとともにスループットも向上します。業界トップの解像度とスキャン速度により、EUVおよび高NA EUVリソグラフィやエッチングプロセスの制御が改善され、半導体メーカーにおけるプロセス開発の加速と量産歩留まりの最大化を支援します。
このほか半導体メーカーは、Gate-All-Around（GAA）ロジックトランジスタや3D NANDメモリなどの3Dデザインにおける微細寸法の計測にVeritySEM 10を採用して、後方散乱電子を用いた深層構造の高解像度描画を実現しています。GAAチップ向けのアプリケーションでは、トランジスタ性能を大きく左右する選択的エピタキシープロセスの計測と特性評価にVeritySEM 10が活用されています。3D NANDメモリでは、本装置の視野の広さと焦点深度の深さを生かしてステアケース配線構造全体の計測が可能で、エッチングプロセスレシピのチューニングに役立ちます。
アプライド マテリアルズのイメージング＆プロセス コントロール担当グループバイスプレジデント、キース・ウェルズ（Keith Wells）は次のように述べています。「VeritySEM 10はCD-SEM技術のブレークスルーとして重要な技術転換点における計測課題を解決し、今後何年にもわたって業界のあり方を形作るでしょう。低いランディングエネルギー、高解像度、高速描画を兼ね備えたこのユニークな装置は、高NA EUV、GAAトランジスタ、高密度3D NANDへの道を開くものといえます」
VeritySEM 10には大手ロジックおよびメモリメーカーから強い引き合いが寄せられており、この1年間で30台以上が出荷されています。この装置は複数のお客様からGAAトランジスタの開発ツールとして採用されており、3D NANDの主要メーカー全社が開発・プロセスツールに、そして複数のDRAMメーカーがプロセスツールとして採用しています。
アプライド マテリアルズのVeritySEM 10に関するその他の情報は、米国時間28日に開催の当社イベントNew Ways to Shrink: Advanced Patterning Products Launch（微細化の新手法：先進的パターニング製品の投入）で取り上げます。
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アプライド マテリアルズ（Nasdaq: AMAT）は、マテリアルズ エンジニアリングのソリューションを提供するリーダーとして、世界中のほぼ全ての半導体チップや先進ディスプレイの製造に寄与します。原子レベルのマテリアル制御を産業規模で実現する専門知識により、お客様が可能性を現実に変えるのを支援します。アプライド マテリアルズはイノベーションを通じてよりよい未来を可能にします。
詳しい情報はホームページwww.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。
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このリリースは2月28日、米国においてアプライド マテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライド マテリアルズ ジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。
アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社（本社：東京都、代表取締役社長：中尾 均）は1979年10月に設立。大阪支店、川崎オフィスのほか15のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。
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