SiC（炭化ケイ素）半導体デバイスの市場規模、2028年に45億2000万米ドル到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「SiC（炭化ケイ素）半導体デバイスの世界市場レポート 2024年」（The Business Research Company）の販売を2月22日より開始いたしました。

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SiC（炭化ケイ素）半導体デバイスは、炭化ケイ素基板、第一電極、第一バリア層、および相互接続層から構成されます。これらのデバイスは、小型、堅牢な構造、高効率が特徴で、特に電池や検出器などのパワーエレクトロニクス・デバイスの開発に適しています。

SiC（炭化ケイ素）半導体デバイスの主な種類には、SiCダイオード、SiCトランジスタ、その他（SiCモジュール、サイリスタ）があります。炭化ケイ素トランジスタは通常、信頼性の高さで知られるノーマリーオンジャンクションベースのトランジスタで、単位面積当たりのRDS（オン）が最も低いのが特徴です。これらのデバイスは、1インチから4インチ、6インチ、8インチ、10インチ、およびそれ以上のさまざまなウェーハサイズで入手可能です。SiC（炭化ケイ素）半導体デバイスは、自動車、家庭用電化製品、航空宇宙・防衛、医療機器、データ・通信機器、エネルギー・電力、その他の産業など、多様なエンドユーザーによって利用されています。

SiC（炭化ケイ素）半導体デバイスの市場規模は近年急激に成長しています。2023年の15億9000万米ドルからCAGR25.2%で成長し、2024年には20億米ドルに達する見込みです。過去の期間に見られた拡大は、炭化ケイ素（SiC）の早期開発、高温アプリケーションの需要、パワーエレクトロニクスの進化、テレコミュニケーションとRF（無線周波数）のアプリケーション、軍事および航空宇宙アプリケーションでの炭化ケイ素の活用に起因しています。

SiC（炭化ケイ素）半導体デバイスの市場規模は、今後数年で飛躍的な成長が見込まれます。2028年にはCAGR22.7%で45億2000万米ドルに達する見込みです。予想される成長は、電気自動車（EV）の普及拡大、再生可能エネルギー源の拡大、5Gネットワークの展開、産業用およびモーター駆動、送電の成長に起因すると考えられます。今後の主な動向には、電力密度に対する要求の高まり、自動車産業における採用の増加、パワーエレクトロニクスの継続的な拡大、製造プロセスの急速な進歩、再生可能エネルギー技術の普及などがあります。

電気自動車への需要の高まりは、SiC（炭化ケイ素）半導体デバイス市場の拡大を牽引すると予想されます。電気自動車は、バッテリーからの電気を動力源とし、外部からの充電が可能な自動車で、そのパワートレインにSiC（炭化ケイ素）半導体デバイスが採用されています。これらのデバイスは、より高い電力密度とスイッチング効率の向上に貢献するため、電気自動車の需要増とSiC（炭化ケイ素）半導体デバイスのニーズの高まりに関連しています。




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