ワイドバンドギャップ・パワー（WBG）半導体デバイスの世界市場

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「ワイドバンドギャップ・パワー（WBG）半導体デバイスの世界市場」（Global Industry Analysts, Inc.）の販売を8月15日より開始いたしました。

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ワイドバンドギャップ・パワー（WBG）半導体デバイスの世界市場は2030年までに109億米ドルに達する見込み

2023年に18億米ドルと推定されるワイドバンドギャップ・パワー（WBG）半導体デバイスの世界市場は、分析期間2023-2030年に29.1%のCAGRで成長し、2030年には109億米ドルに達すると予測されます。本レポートで分析したセグメントの1つである炭化ケイ素（SiC）は、CAGR 29.2%を記録し、分析期間終了までに63億米ドルに達すると予測されます。窒化ガリウム（GaN）セグメントの成長率は、分析期間中CAGR 31.1%と推定されます。

米国市場は5億2,770万米ドル、中国はCAGR38.7%で成長予測

米国のワイドバンドギャップ・パワー（WBG）半導体デバイス市場は、2023年に5億2,770万米ドルと推定されます。世界第2位の経済大国である中国は、2023年から2030年の分析期間においてCAGR 38.7%で推移し、2030年には32億米ドルの市場規模に達すると予測されています。その他の注目すべき地域別市場としては、日本とカナダがあり、分析期間中のCAGRはそれぞれ20.5%と24.9%と予測されています。欧州では、ドイツがCAGR約24.2%で成長すると予測されています。

世界のワイドバンドギャップ・パワー（WBG）半導体デバイス市場- 主な促進要因と動向のまとめ

ワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体デバイスは、従来のシリコンベースの半導体と比較して、より高い電圧、温度、周波数で動作するように設計された高度な電子部品です。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのWBG材料は、より高い耐圧、より高い熱伝導性、より速いスイッチング速度などの優れた電気特性を提供します。これらの利点により、WBGデバイスは、自動車、航空宇宙、通信、再生可能エネルギーなどの産業におけるさまざまな高性能アプリケーションに最適です。特にWBG半導体は、電気自動車、スマートグリッド、高度な産業機械に不可欠なインバータ、コンバータ、電源などの効率的なパワーエレクトロニクスの開発に不可欠です。

技術の進歩は、WBGパワー半導体デバイスの開発と商業化において極めて重要です。材料の品質と製造プロセスの改善により、WBGデバイスの効率と信頼性が向上し、大量生産が可能になった。エピタキシャル成長技術と基板製造の進歩により、SiCとGaNデバイスの性能と歩留まりが向上しました。さらに、WBG半導体と、ワイドバンドギャップICや先進パッケージング・ソリューションなどの他の先進技術との統合により、よりコンパクトで、効率的で、熱管理しやすいパワーモジュールの開発が可能になった。このような技術的進歩により、コストが削減され、さまざまな分野でWBGデバイスの採用が拡大しています。

ワイドバンドギャップ・パワー半導体デバイス市場の成長は、いくつかの要因によってもたらされています。電気自動車や再生可能エネルギーシステムにおいて、エネルギー効率が高く高性能なパワーエレクトロニクスへの需要が高まっていることが大きな原動力となっています。二酸化炭素排出量の削減とエネルギー効率の向上への注目の高まりが、さまざまな産業用アプリケーションにおけるWBGデバイスの採用を後押ししています。材料科学と半導体製造の技術進歩がWBGデバイスの性能と費用対効果を向上させ、市場浸透を促進しています。また、スマートグリッドや通信のためのインフラ投資が増加していることも、WBG半導体の需要を促進しています。さらに、エネルギー効率の高い技術の利用を促進する規制動向や政府の取り組みも、市場の成長に寄与しています。最後に、WBG半導体の性能、信頼性、省エネルギーの利点に対する認識の高まりが、多様なアプリケーションへの採用を促し、市場に新たな機会を生み出しています。
調査対象企業の例（注目の49社）
・Fuji Electric Co. Ltd.
・Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.
・Infineon Technologies AG
・Littelfuse Inc.
・Nexperia BV
・ROHM Co. Ltd.
・Skyworks Solutions Inc.
・STMicroelectronics International NV
・Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
・Transphorm Inc.
・Wolfspeed, Inc.

目次
第1章 調査手法
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 市場分析
第4章 競合

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