スーパージャンクションMOSFET市場、2032年に88億米ドル規模到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション

2024-11-21 10:00

株式会社グローバルインフォメーション(所在地:神奈川県川崎市、代表者:樋口 荘祐、証券コード:東証スタンダード 4171)は、市場調査レポート「スーパージャンクションMOSFET市場レポート:タイプ、技術、材料、用途、地域別、2024年~2032年」(IMARC Group)の販売を11月20日より開始いたしました。
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市場の概要
世界のスーパージャンクションMOSFET市場は、2023年に32億米ドルの規模に達しました。2024年から2032年にかけて、市場は11.4%のCAGR(年平均成長率)で成長し、2032年には88億米ドル規模に達すると予想されています。

スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、高電圧および高周波用途向けのさまざまなパワー半導体コンポーネントおよび新技術を指します。これらはマルチエピタキシャル成長技術およびディープトレンチ技術を用いて製造され、高い電力密度とシステム信頼性および効率性を必要とする電子機器の生産に広く使用されています。これらの電子機器には、サーバー、コンピューティングデバイス、産業用電源部品、ソーラーインバーター、照明、および家電製品などが含まれます。従来使用されていたプレーナーシリコンMOSFETと比較すると、スーパージャンクションMOSFETは導通損失およびスイッチング損失が大幅に低くなっています。スーパージャンクションョンMOSFETは、電力損失を抑制するために、住宅や商業施設におけるグリーン電力管理システムの開発にも利用されています。

市場の動向
エネルギー効率の高い電気システムに対する需要の高まりは、市場を牽引する重要な要因の一つです。さらに、自動車用電子部品のメーカーが製品に広く導入していることも、市場の成長を後押ししています。自動車の燃費を向上させ、車内スペースを広げ、乗客の快適性を高めるために、スーパージャンクションMOSFETが自動車のバッテリーに搭載されています。これに伴い、電源アダプターや電源の小型化も製品需要に好影響を与えています。これに加えて、導通損失を最小限に抑え、軽負荷時の電力損失を抑制し、逆回復スーパージャンクションパージャンクションMOSFETの開発など、さまざまな技術的進歩も市場に明るい展望をもたらしています。再生可能エネルギー源を利用した電源の普及や広範な研究開発(R&D)活動なども、市場をさらに牽引すると予測されています。



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