GaNパワーデバイス市場、2033年に47億620万米ドル規模到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「GaNパワーデバイスの市場レポート：デバイスタイプ別、電圧範囲別、用途別、最終用途産業別、地域別、2025～2033年」（IMARC Group）の販売を9月17日より開始いたしました。

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市場の概要
世界のGaNパワーデバイス市場は、2024年に4億5,100万米ドルの規模に達しました。2025年から2033年にかけて、市場は28.28%のCAGR(年平均成長率)で成長し、2033年には47億620万米ドル規模に達すると予想されています。本市場は、エネルギー効率化への需要拡大、電気自動車（EV）市場の近年の進展、半導体産業における革新技術の台頭、再生可能エネルギー技術の普及拡大、そして電子機器の継続的な小型化といった要因に牽引され、急速に拡大しております。

市場の動向
エネルギー効率化への急激な移行は、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場の成長を牽引する主要因です。GaNデバイスは、シリコンベースのデバイスよりも高い電圧、周波数、温度での動作が可能であり、より効率的な電力変換を実現することで知られています。例えば、Efficient Power Conversion（EPC）社は、窒化ガリウム（GaN）FETを搭載した拡張性のある1.5kW、2相48V-12Vデモボード「EPC9137」を発表しました。このデモボードの設計は拡張性があり、2台のコンバーターを並列接続することで3kW、3台を並列接続することで4.5kWを実現できます。2025年までに、世界で販売される自動車の10台に一つが48Vマイルドハイブリッド車になると予測されています。これらのハイブリッドシステムは燃費効率を向上させ、4倍の出力を提供し、二酸化炭素排出量を削減します。そのため、1.5kWから6kWの範囲の電力を扱う48V-12V双方向コンバーターが必要となります。EPC社のeGaN FETは、250kHzのスイッチング周波数で97%の効率を実現し、1フェーズあたり800Wの出力を可能にします。これに対し、シリコンベースのソリューションは、最大スイッチング周波数100kHzにおけるインダクタ電流の制限により、1フェーズあたり600Wに制限されます。この傾向は、エネルギー消費とカーボンフットプリントの削減を目的とした政府の規制や政策によって支えられており、GaNパワーデバイスの市場をさらに推進しています。



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当社は、2020年12月24日に東京証券取引所へ上場いたしました（東証スタンダード市場：4171）。