GaNおよびSiCパワー半導体の市場規模、2029年に32億9000万米ドル到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション

2025-10-17 09:00

株式会社グローバルインフォメーション(所在地:神奈川県川崎市、代表者:樋口 荘祐、証券コード:東証スタンダード 4171)は、市場調査レポート「GaNとSiCパワー半導体の世界市場レポート2025年」(The Business Research Company)の販売を10月16日より開始いたしました。
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窒化ガリウム(GaN)および炭化ケイ素(SiC)パワー半導体は、シリコンとは異なる組成を持つ半導体の一種であり、SiCはシリコンと炭素の複合体、GaNはガリウムと窒素の化合物です。さらに、SiCとGaNはシリコンに比べてより広いバンドギャップを有しています。

GaNおよびSiCパワー半導体カテゴリーにおける主要製品は、SiCパワーモジュール、GaNパワーモジュール、ディスクリートSiC部品、ディスクリートGaN部品で構成されています。SiCパワーモジュールは、特にスイッチとして炭化ケイ素半導体を採用して設計されています。これらの部品は、電源装置、産業用モーター駆動装置、ハイブリッド車・電気自動車(H/EV)、太陽光発電用インバーター、牽引システムなど、様々な分野で応用されており、市場では直接・間接の両チャネルを通じて流通しています。

2025年春に急激にエスカレートした米国の関税とそれに伴う貿易摩擦は、電気・電子産業に重大な影響を及ぼしています。半導体、ディスプレイパネル、バッテリーやモーターに不可欠なレアアース金属などの主要部品は、現在高額な関税の対象となっています。家電メーカーは、激しい競争によりコスト上昇分を消費者に転嫁しづらく、利益率の縮小に直面しています。一方、産業用電子機器メーカーでは、プリント基板など関税影響部品の不足によるプロジェクト遅延が発生しています。これに対応し、企業は組立工程を関税免除国へ移管、在庫備蓄の強化、規制材料への依存度低減のための製品再設計を進めています。

GaNおよびSiCパワー半導体の市場規模は近年急速に拡大しています。2024年の14億2000万米ドルからCAGR18.2%で成長し、2025年には16億8000万米ドルに達すると予測されています。過去数年間の成長は、エネルギー効率化への需要、高電力アプリケーションに対する産業需要、小型化と高周波化、温度・電圧耐性の向上、そして時間の経過に伴うコスト競争力の高まりに起因しています。

GaNおよびSiCパワー半導体の市場規模は今後数年間で急速な成長が見込まれます。2029年にはCAGR18.3%で32億9000万米ドルに達する見込みです。予測される成長要因としては、電気自動車需要の増加、再生可能エネルギーの拡大、5Gおよび通信網の拡充、産業オートメーションとIoTの進展、消費者向け電子機器市場の拡大が挙げられます。予測される主な動向としては、自動車分野での採用拡大、環境持続可能性への配慮、エネルギー効率への注力強化、小型化・高周波動作の進展、民生用電子機器の進歩などが挙げられます。


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