株式会社グローバルインフォメーション(所在地:神奈川県川崎市、代表者:樋口 荘祐、証券コード:東証スタンダード 4171)は、市場調査レポート「窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス市場の2032年までの予測: デバイスタイプ別、電圧範囲別、用途別、エンドユーザー別、地域別の世界分析」(Stratistics Market Research Consulting)の販売を12月25日より開始いたしました。グローバルインフォメーションはStratistics Market Research Consultingの日本における正規代理店です。
【 当レポートの詳細目次 】
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窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの市場規模は、2025年の6億1580万米ドルからCAGR42.1%で成長し、2032年までに72億520万米ドルに達すると予測されています。窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、シリコンベースのデバイスと比較して優れた効率、スイッチング速度、電力密度を提供する半導体に焦点を当てています。GaNデバイスは、民生用電子機器、自動車、再生可能エネルギー、データセンター、通信インフラにおいて極めて重要です。急速充電、電気自動車、エネルギー効率の高いシステムへの需要の高まりが、その採用を促進しています。5Gネットワーク、航空宇宙、防衛分野における技術進歩がさらなる機会を拡大しています。研究開発および生産への投資増加に伴い、GaN市場は次世代パワーエレクトロニクスの主要な推進役として位置づけられています。
IEEE Spectrum誌によれば、GaNデバイスは40%高い効率性を提供し、電気自動車(EV)、5G基地局、航空宇宙用途で採用が進んでいます。
推進要因:電気自動車(EV)と再生可能エネルギーの成長
電気自動車(EV)の普及拡大と世界的な再生可能エネルギーへの移行は、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス市場の重要な推進要因です。GaNの優れた効率性とコンパクト性はEVに最適であり、車載充電器やインバーターにおける電力変換効率を向上させます。さらに、再生可能エネルギー分野では、太陽光発電用インバーターやエネルギー貯蔵システムにおけるGaNの性能が活用されています。電気自動車と再生可能エネルギーのこの相乗効果により、GaNパワーデバイスの需要が加速し、持続可能なエネルギーソリューションへの移行において不可欠なコンポーネントとしての地位を確立しています。
抑制要因:シリコンベース技術との競争
シリコン部品は確立された技術であり、コスト効率に優れ、様々な産業で広く採用されています。GaNへの移行には、新たな製造プロセスやインフラへの多大な投資が必要です。さらに、GaNデバイスの初期コストの高さは、特に価格に敏感な市場において、潜在的な採用を妨げる可能性があります。シリコン技術に対するこうした根強い選好は、GaNパワーデバイスの普及にとって顕著な課題となっています。
市場機会:データセンターおよび通信インフラの拡大
データセンターと通信インフラの急速な拡大は、GaNパワーデバイスにとって大きな機会をもたらします。これらの分野では、増加するデータ負荷とエネルギー消費を管理するための高効率な電力ソリューションが求められています。GaNは高電圧・高周波を最小限のエネルギー損失で処理できる特性から、これらのアプリケーションにおける電源装置や電圧レギュレータの魅力的な選択肢となります。デジタルトランスフォーメーションが加速する中、データセンターや通信ネットワークにおける効率的な電力ソリューションの必要性が、GaN技術の採用を促進することが予想されます。
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【本件に関するお問い合わせ先】
<アジア最大の市場調査レポート販売代理店>
株式会社グローバルインフォメーション
マーケティング部
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【会社概要】
1995年の創立以来、海外市場調査レポートの販売を通じて企業のグローバル展開を支援しています。世界5カ国に拠点を持ち、提携調査会社200社以上が発行する調査資料約30万点以上をワンストップでご提供。市場情報販売のグローバル・リーディングカンパニーを目指し、企業ならびに社会の発展に寄与すべく、お客様にとって真に価値ある情報をお届けしています。
創立:1995年
所在地:215-0004 神奈川県川崎市麻生区万福寺1-2-3 アーシスビル7F
事業内容:市場調査レポート/年間契約型情報サービスの販売、委託調査の受託、国際会議の代理販売
市場調査レポート/年間契約型情報サービス: (リンク »)
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当社は、2020年12月24日に東京証券取引所へ上場いたしました(東証スタンダード市場:4171)。
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窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの市場規模は、2025年の6億1580万米ドルからCAGR42.1%で成長し、2032年までに72億520万米ドルに達すると予測されています。窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、シリコンベースのデバイスと比較して優れた効率、スイッチング速度、電力密度を提供する半導体に焦点を当てています。GaNデバイスは、民生用電子機器、自動車、再生可能エネルギー、データセンター、通信インフラにおいて極めて重要です。急速充電、電気自動車、エネルギー効率の高いシステムへの需要の高まりが、その採用を促進しています。5Gネットワーク、航空宇宙、防衛分野における技術進歩がさらなる機会を拡大しています。研究開発および生産への投資増加に伴い、GaN市場は次世代パワーエレクトロニクスの主要な推進役として位置づけられています。
IEEE Spectrum誌によれば、GaNデバイスは40%高い効率性を提供し、電気自動車(EV)、5G基地局、航空宇宙用途で採用が進んでいます。
推進要因:電気自動車(EV)と再生可能エネルギーの成長
電気自動車(EV)の普及拡大と世界的な再生可能エネルギーへの移行は、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス市場の重要な推進要因です。GaNの優れた効率性とコンパクト性はEVに最適であり、車載充電器やインバーターにおける電力変換効率を向上させます。さらに、再生可能エネルギー分野では、太陽光発電用インバーターやエネルギー貯蔵システムにおけるGaNの性能が活用されています。電気自動車と再生可能エネルギーのこの相乗効果により、GaNパワーデバイスの需要が加速し、持続可能なエネルギーソリューションへの移行において不可欠なコンポーネントとしての地位を確立しています。
抑制要因:シリコンベース技術との競争
シリコン部品は確立された技術であり、コスト効率に優れ、様々な産業で広く採用されています。GaNへの移行には、新たな製造プロセスやインフラへの多大な投資が必要です。さらに、GaNデバイスの初期コストの高さは、特に価格に敏感な市場において、潜在的な採用を妨げる可能性があります。シリコン技術に対するこうした根強い選好は、GaNパワーデバイスの普及にとって顕著な課題となっています。
市場機会:データセンターおよび通信インフラの拡大
データセンターと通信インフラの急速な拡大は、GaNパワーデバイスにとって大きな機会をもたらします。これらの分野では、増加するデータ負荷とエネルギー消費を管理するための高効率な電力ソリューションが求められています。GaNは高電圧・高周波を最小限のエネルギー損失で処理できる特性から、これらのアプリケーションにおける電源装置や電圧レギュレータの魅力的な選択肢となります。デジタルトランスフォーメーションが加速する中、データセンターや通信ネットワークにおける効率的な電力ソリューションの必要性が、GaN技術の採用を促進することが予想されます。
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