炭化ケイ素(SiC)の市場規模、2030年に51億1000万米ドル到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション

2024-08-09 09:00

株式会社グローバルインフォメーション(所在地:神奈川県川崎市、代表者:樋口 荘祐、証券コード:東証スタンダード 4171)は、市場調査レポート「炭化ケイ素市場の2030年までの予測: 製品、デバイスタイプ、グレード、ウエハーサイズ、結晶構造、用途、エンドユーザー、地域別の世界分析」(Stratistics Market Research Consulting)の販売を8月8日より開始いたしました。
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炭化ケイ素(SiC)の市場規模は、2024年の17億4000万米ドルからCAGR19.7%で成長し、2030年には51億1000万米ドルに達する見込みです。炭化ケイ素は、ケイ素原子と炭素原子で構成される化合物で、様々な産業用途に適した顕著な特性が特徴です。SiCはいくつかの結晶構造で存在し、最も一般的なものは六方晶です。また、卓越した硬度を示し、研削、切断、研磨用途の研磨材として理想的です。熱伝導率が高く、熱衝撃にも強いため、耐火物や炉部品、セラミック窯道具などの高温用途で重宝されています。

世界半導体貿易統計(WSTS)によると、世界半導体市場の収益は5883億6000万米ドルを記録し、2023年の5201億3000万米ドルを13.12%上回ると予想されています。

推進要因:エネルギー効率と電力密度への注目

産業界がより環境に優しく効率的なソリューションを求める中、SiCは従来のシリコンベースの半導体に代わる有望な選択肢として浮上しています。高い熱伝導性、低い電力損失、高い耐圧といったSiCの優れた特性により、デバイスは効率を維持しながらより高い温度と電圧で動作することができます。これにより、電気自動車から再生可能エネルギーシステムに至るまで、さまざまな用途でより小型、軽量、高効率の電子部品が実現します。

抑制要因:高い製造コスト

SiCは、高い熱伝導性や耐久性などの優れた特性で知られ、エレクトロニクス、自動車、エネルギーなど、さまざまな産業で応用されています。一方で、SiC材料の製造には、高温合成や厳しい品質管理対策など、複雑な製造工程が必要なため、製造コストが高くなります。その結果、メーカーはSiC製品の競争力のある価格を実現するのが難しく、市場の拡大と普及を妨げています。

市場機会:製造技術の進歩

製造技術の進歩は、炭化ケイ素(SiC)市場の大幅な拡大を促進します。卓越した熱伝導性、高耐圧、低電力損失で知られるSiCは、半導体アプリケーションの主要材料です。高度なドーピング法や結晶成長プロセスなどの製造技術の進化は、SiC製造における材料品質の向上、歩留まりの向上、コスト削減につながっています。さらに、製造技術の革新により、高い電力密度、効率の向上、信頼性の強化を実現したSiCベースのデバイスの開発が可能になりました。

脅威:標準化の欠如

炭化ケイ素(SiC)市場は、標準化の欠如による大きな障害に直面しています。この欠落は、様々な産業におけるSiCベースの技術の広範な採用と効率的な利用を妨げています。SiC材料、デバイス、製造プロセスの仕様が標準化されていないため、製品の品質、性能、互換性が統一されていません。このばらつきはサプライチェーンを複雑にし、製造コストを上昇させ、技術の信頼性を損ないます。標準化された試験方法がなければ、消費者にとっても企業にとっても、異なるSiC製品の評価と比較は困難になります。



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