SiCウエハー研磨の世界市場規模、シェア、動向及び成長分析レポート2026-2034年

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「 SiCウエハー研磨の世界市場規模、シェア、動向及び成長分析レポート2026-2034年 」（Value Market Research）の販売を5月19日より開始しました。グローバルインフォメーションはValue Market Researchの日本における正規代理店です。

SiCウエハー研磨市場の規模は、2025年の23億2,000万米ドルから、2026年から2034年にかけてCAGR38.31％で成長し、2034年には430億4,000万米ドルに達すると予測されております。

世界のSiCウエハー研磨市場は、パワーエレクトロニクス、電気自動車、再生可能エネルギーシステムにおける炭化ケイ素（SiC）ウエハーの需要増加に牽引され、力強い成長を見せております。産業がエネルギー効率の高いソリューションへ移行する中、SiCベースのデバイスは優れた熱伝導性、高い絶縁破壊電圧、および向上した電力密度を提供します。半導体製造施設への投資増加と5Gインフラの拡大は、優れた表面品質と欠陥のないウエハーを保証する高精度ウエハー研磨技術の必要性をさらに加速させています。

主な成長要因としては、輸送手段の急速な電動化、急速充電EVインフラの普及拡大、産業用自動化システムの浸透率向上などが挙げられます。SiCウエハーは、インバーター、コンバーター、高周波アプリケーションに使用される先進パワーデバイスの製造に不可欠です。化学機械研磨（CMP）プロセスと自動研磨システムの技術進歩により、歩留まりが向上し生産コストが削減されているため、半導体メーカーは生産能力の拡大を進めています。