【GⅡ】窒化ガリウム半導体デバイス市場：製品別、構成部品別、ウエハーサイズ別、最終用途別、国別、地域別―世界の業界分析、市場規模、市場シェアおよび2025年から2032年までの予測

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「窒化ガリウム半導体デバイス市場：製品別、構成部品別、ウエハーサイズ別、最終用途別、国別、地域別―世界の業界分析、市場規模、市場シェアおよび2025年から2032年までの予測」（AnalystView Market Insights）の販売を6月22日より開始いたしました。

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窒化ガリウム半導体デバイスの市場規模は、2024年に30億3,107万米ドルと評価され、2025年から2032年にかけてCAGR28.01％で拡大すると見込まれています。

各国政府が国内の先端半導体技術の育成を支援する中、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場は世界的に戦略的重要性を増しています。米国では、連邦政府機関がGaNチップの開発に直接資金を提供しています。例えば、世界のファウンドリーズは、シリコン上のGaN製造を推進し、国内の半導体インフラを強化するために、米国政府から950万米ドルの資金提供を受けました。2020年以降、総支援額は8,000万米ドルを超えています。米国防総省の「Trusted Access Program Office」などの機関を通じて提供されたこの資金は、防衛、通信、エネルギーシステムにとって極めて重要な高出力およびRFアプリケーションにおけるGaNの役割を浮き彫りにしています。

欧州全域では、欧州連合（EU）の半導体戦略が、半導体生産能力の強化と、特にエネルギー効率の高いパワーエレクトロニクスや自動車の電動化に向けたGaNなどの次世代技術を支援するための430億ユーロ規模の「チップス法（Chips Act）」イニシアチブを含む、多額の投資を網羅しています。アジアでは、インドの電子・情報技術省（MeitY）によるGaNエコシステム・イネーブリング・センターおよびインキュベーターの承認など、各国の取り組みが、高周波・高出力GaN技術におけるイノベーションの促進と現地の能力構築を目指しており、自国での半導体開発を推進しています。

目次
第1章 窒化ガリウム半導体デバイス市場概要
第2章 エグゼクティブサマリー
第3章 窒化ガリウム半導体デバイス主要市場動向
第4章 窒化ガリウム半導体デバイス産業分析
第5章 窒化ガリウム半導体デバイス市場：高まる地政学的緊張の影響
第6章 窒化ガリウム半導体デバイス市場情勢
第7章 窒化ガリウム半導体デバイス市場：製品別
第8章 窒化ガリウム半導体デバイス市場：コンポーネント別
第9章 窒化ガリウム半導体デバイス市場：ウエハーサイズ別
第10章 窒化ガリウム半導体デバイス市場：エンドユーズ別
第11章 窒化ガリウム半導体デバイス市場：地域別
第12章 主要ベンダー分析：窒化ガリウム半導体デバイス産業
企業プロファイル
・Novosense Microelectronics
・onsemi
・Fujitsu Ltd.
・Efficient Power Conversion Corporation
・Transphorm, Inc.
・Infineon Technologies AG
・NXP Semiconductors.
・Qorvo, Inc
・Texas Instruments Incorporated.
・Toshiba Corporation
・GaN Systems
・NTT Advanced Technology Corporation
・MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
・Cree, Inc.
・Navitas Semiconductor
・STMicroelectronics
・Others
第13章 AnalystViewの全方位展望

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