BM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディング市場、2031年に20億6,000万米ドル規模到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション

2026-10-01 10:00

株式会社グローバルインフォメーション(所在地:神奈川県川崎市、代表者:樋口 荘祐)は、市場調査レポート「HBM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディング:市場シェア分析、業界動向と統計、成長予測(2026年~2031年)」(Mordor Intelligence Pvt Ltd)の販売を9月30日より開始いたしました。グローバルインフォメーションはIMARC Groupの日本における正規代理店です。
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市場の概要
Mordor Intelligenceによると、HBM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディングの市場規模は、2025年に3億9,000万米ドルとなり、2031年までに20億6,000万米ドルに達すると予測されており、2026年から2031年にかけてCAGR32.21%で成長すると見込まれています。

世界のHBM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディング市場の動向と洞察
AIアクセラレータにおけるHBMスタック数の増加
AIアクセラレータのロードマップにより、メモリの積層数がさらに増加しており、垂直方向の相互接続密度がHBM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディング市場の主要な成長要因となっています。SK hynixは、CES 2026において、容量48GB、帯域幅が毎秒2TBを超える16層HBM4デバイスを発表し、2026年第3四半期の量産開始を目標としています。Samsungは、自社の1c DRAMプロセスとハイブリッド銅ボンディングを組み合わせることで、HBM4の動作速度を11.7Gb/sに引き上げたと発表しました。これは、JEDECの基準値である8Gb/sを大幅に上回るものです。『Electronics』に掲載された査読付きレビューによると、ハイブリッドボンディングにより、8層HBM構造におけるスタック全体の厚さが15%以上削減され、アンダーフィルを直接銅接続に置き換えることで、垂直方向の熱伝達が改善されたことが明らかになりました。積層数が12層を超えると、マイクロバンプのみでは熱機械的応力やパッケージの高さの管理が難しくなるため、HBM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディング市場は、引き続き次世代AIメモリプログラムと密接に関連しています。
ロジックとメモリのコパッケージ統合
ロジックとメモリを単一のボンディングスタックに統合することで、HBM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディング市場の役割は、単なるメモリの積層を超えて拡大しています。香港科技大学(HKUST)の調査によると、Wafer-on-Wafer (WoW)で積層されたアクセラレータは、NVIDIA A100のベースラインと比較して最大7.17倍高速な推論性能を発揮し、一方、チプレットベースの設計は、モノリシック方式と比較して反復的なエンジニアリングコストを38.09%削減しました。TSMCは、同社のSoIC-XプラットフォームがAMDの第2世代3D V-Cache(9µmピッチ)に採用され、従来のパッケージングに比べて10倍の帯域幅を実現したと発表しました。Applied Materialsは、Besiを搭載した同社のKinexプラットフォームが、BroadcomのカスタムAI ASIC向けにTSMCですでに量産されており、次世代システムでは50nm以上の精度と、より高いスループットを目指していると述べました。こうした性能とコスト面のメリットが相まって、純粋なHBMの受注サイクルが変動した場合でも、HBM Wafer-on-Wafer (WoW) ハイブリッドボンディング市場の需要は維持される見込みです。



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