アナログ・デバイセズ、GaNパワー・アンプ製品ポートフォリオに6 GHz広帯域モジュール2種 HMC7885、HMC7748を追加

本プレスリリースは2017年4月6日（米国東部時間）に、米Analog Devices, Inc.が発表したプレスリリースの抄訳です。
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アナログ・デバイセズ社（NASDAQ：ADI）は本日、クラス最高レベルの出力密度を実現し、サブシステムのサイズと重量を最小限に抑える、高性能窒化ガリウム（GaN）パワー・アンプ（PA）・モジュール「HMC7885」および「HMC7748」を発表しました。この広帯域モジュールは、試験・計測、通信、進行波管（TWT）の代替、防衛/航空宇宙分野での監視や対抗手段、レーダーなど、2 GHz～6 GHzで動作する各種電子機器に最適化しています。全機能内蔵のオール・ソリッドステートデバイスであり、ADIの既存のGaNベースのPA製品ラインを拡充し、より速やかな試作評価やシステム設計に貢献する使いやすさを特長としています。

最適なアプリケーション
・試験/計測装置
・軍事通信
・航空宇宙/防衛
・レーダー

主な特長
・広い周波数範囲、高出力
- 2GHz～6GHz
- 飽和RF出力　HMC7885：45dBm(typ)、HMC7748：43dBm(typ)
・小信号ゲインHMC7885：21dB(typ)、HMC7748：58dB(typ)

HMC7885は、フランジ実装型ハーメチック・パッケージに搭載した32 W密閉式ハイブリッド・アンプで、高レベルの信頼性が要求される機器に最適です。本ハイブリッド・アンプは定格で、小信号ゲイン21 dB、45 dBm の飽和RF出力電力を発揮し、28 V DC電源からの静止電流は2.2 Aです。RF入出力はDCブロックされ、50オームに整合されるため、使いやすくなっています。評価用ボードには、エンドカスタマーへの設計提案やアプリケーション開発を容易にする回路図および部品表（BOM）が附属しています。

HMC7748は、多機能を搭載したマルチステージ・パワー・アンプ・モジュールで、飽和出力電力25 W、最大－8 dBmまでの入力に対応し、 58dBの小信号ゲインです。バイアスシーケンスおよびレギュレーションが組み込まれ、内部で50オームに整合します。本製品の消費電力は、12 V電源から0.7 A、28 V電源から最大で4 Aです。また、シャットダウン機能を提供するイネーブル・ピンが装備され、アンプのオン/オフを、電源サイクリングを行うことなく切り替えることができます。

両GaNパワー・アンプは共に、最大6 GHzまでの広帯域の中出力アプリケーションの高性能化と小型化に貢献し、今日必須となっているサイズ、重量、電力（SWaP）要件を満たします。


提供時期とパッケージ

製品：HMC7885
動作温度範囲：−30°C～+60°C
量産出荷：出荷中
パッケージ：18ピン・ハーメチック、セラミック/メタル・マルチチップ・モジュール、1゛ × 1.4゛ × 高さ0.15゛（数値は概数）

製品：HMC7748
動作温度範囲：−40°C～+70°C
量産出荷：出荷中
パッケージ：コネクタ・インタフェース付き6ピン・モジュール、3.75゛ × 3゛ × 高さ0.6゛（数値は概数）


【関連資料】
・HMC7885、HMC7748の製品概要、データシート、サンプル、評価用ボード等の詳細
　HMC7885　 (リンク »)
　HMC7748　 (リンク »)
・アナログ・デバイセズのMMICベースのGaN/GaAsパワー・アンプの詳細
(リンク »)
・アナログ・デバイセズのRFコネクタ付きモジュール/機器の詳細
(リンク »)