次世代メモリの市場規模、2028年に177億米ドル到達予測

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「次世代メモリの世界市場 (～2028年)：技術 (不揮発性メモリ (MRAM (STT-MRAM・SOT-MRAM・トグルモードMRAM)・FRAM・RERAM/CBRAM・3D XPOINT・NRAM)・揮発性メモリ (HBM・HMC))・ウエハサイズ (200mm・300mm) 別」（MarketsandMarkets）の販売を9月19日より開始いたしました。

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次世代メモリの市場規模は、2023年の62億米ドルからCAGR23.2%で成長し、2028年には177億米ドルに達すると予測されています。

スマートフォンやスマートウェアラブルへの次世代メモリの採用が進んでいること、エンタープライズストレージアプリケーションへの次世代メモリ技術の採用が増加していることが、次世代メモリ市場の成長を促進する要因となっています。



高帯域幅メモリ（HBM）セグメントの成長

高帯域幅メモリ（HBM）は、TSV技術を使用して複数のDRAMメモリ・ダイを積層することで作成される3Dメモリの一形態です。HBM技術では、メモリチップを互いに積み重ねるため、必要なレベルの性能を達成するために、非常に広いデータバスとかなり遅いクロック速度が使用されます。このメモリは、主にグラフィックカードや、コンシューマー向けAPU（Accelerated Processing Unit）、サーバー、スーパーコンピューターなどの高処理コンピューティングアプリケーションを対象としています。各社は、機能性を強化した、より新しく先進的なHBMメモリを開発しています。例えば、SAMSUNG（韓国）は2023年7月、高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力を拡大するために1兆ウォン（約7億6600万米ドル）を投資すると発表しました。

コンシューマーエレクトロニクス用途の成長

2028年までの間、コンシューマーエレクトロニクス分野は高いCAGRで成長することが考えられます。コンシューマー機器の採用は、そのターゲットアプリケーションのメモリストレージ消費とともに急速に拡大しています。新しい不揮発性メモリ（NVM）は、コンシューマ機器のメモリ容量を向上させるためにDRAMの補完や交換に使用することができ、潜在的なソリューションとしてメーカー各社が市場に投入しています。最近の研究では、コンシューマ機器においてDRAMをNVMで完全に置き換えることは、システム統合や設計に大きな制約を課すことになるため、DRAMのスワップスペースとしてNVMを採用することが提案されています。次世代メモリ技術は、高性能を必要とする家庭用電化製品の進歩により、ウェアラブル機器、セットトップボックス、デジタルカメラ、タブレット、携帯型パーソナル通信システム、デスクトップ PC、ノート PC などに広く使用されています。コンシューマーエレクトロニクス分野全体で次世代メモリ市場の採用が進むと思われます。




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