化合物半導体市場、2033年に1,770億米ドル規模到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「化合物半導体市場：タイプ別、製品別、堆積技術別、用途別、地域別、2025-2033年」（IMARC Group）の販売を4月23日より開始いたしました。

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市場の概要
化合物半導体の世界市場は、2024年に1,228億米ドルの規模に達しました。2025年から2033年にかけて、市場は4.1%のCAGR(年平均成長率)で成長し、2033年には1,770億米ドル規模に達すると予想されています。高速エレクトロニクス、5G通信、省電力デバイスのニーズ、自動車の進歩、LED照明の採用、IoTや再生可能エネルギー技術などの新興アプリケーションが市場の成長を後押ししています。

化合物半導体は、周期表の異なるグループに属する2つ以上の元素から構成される半導体材料の一種です。シリコンやゲルマニウムのような単一元素からなる元素半導体とは異なり、化合物半導体は異なる元素を組み合わせて独自の電子特性を持つ結晶構造を形成します。これらの材料は、優れた電子移動度、広いエネルギー・バンドギャップ、高周波デバイス、オプトエレクトロニクス、電力増幅器などの特定の用途における性能向上などの利点を提供します。一般的な化合物半導体には、ガリウムヒ素（GaAs）、リン化インジウム（InP）、窒化ガリウム（GaN）などがあり、それぞれが調整可能な特性により特定の機能に合わせて調整されています。

高速・高周波通信システムへの需要の高まりと5Gネットワークの急速な進化が化合物半導体の必要性に拍車をかけ、主に市場の成長を牽引しています。これに伴い、ハイパワー、高周波アプリケーションで優れた性能を発揮する窒化ガリウム（GaN）とガリウムヒ素（GaAs）の需要が高まっており、市場拡大の明るい見通しが生まれています。さらに、エネルギー効率の高いソリューションが注目されるようになったことで、パワーエレクトロニクスへの化合物半導体の採用が進み、市場の成長を後押ししています。これに加えて、発光ダイオード（LED）、レーザー、光検出器を含むオプトエレクトロニクスの用途拡大も、もう1つの重要な成長促進要因として作用しています。リン化インジウム（InP）などの化合物半導体は、データ通信、センシング、イメージング技術の進歩を促進し、市場成長を後押ししています。さらに、そのユニークな特性により、さまざまな産業分野でこれらの材料が受け入れられ、イノベーションが促進されていることも、市場の成長に寄与しています。

市場の動向
高速・大容量通信システムに対する需要の急増は、化合物半導体の極めて重要な原動力となっています。世界が5Gネットワークの展開に移行する中、化合物半導体は高周波で効率的に動作する能力により不可欠であり、市場拡大の好機をもたらします。さらに、窒化ガリウム（GaN）やヒ化ガリウム（GaAs）などの化合物半導体が、固有の特性により高周波性能に苦戦するシリコンを含む従来の元素半導体よりも好まれるようになったことも、市場拡大の一助となっています。さらに、高い電子移動度と強力な電力処理能力により、5G基地局、レーダーシステム、衛星通信機器でのGaNの採用が増加していることも、市場の成長を強化しています。



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