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カリフォルニア州フリーモント--(BUSINESS WIRE (リンク ») )-- （ビジネスワイヤ） -- イールド・エンジニアリング・システム（YES）は、AIおよびHPCシステム向けの先端パッケージング用プロセス装置の主要プロバイダーとして、世界有数のメモリーメーカーからVeroTherm™およびVeroFlex™リフローシステムを複数受注したことを発表しました。これらのシステムは、大規模言語モデル（LLM）アプリケーションに対応する高性能のAIアクセラレーター向けに、メモリチップとロジック半導体の3D積層を可能にします。
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VeroTherm™ and VeroFlex™ Systems by YES. These systems will enable 3D stacking of memory and logic chips for high-performance AI accelerators, driven by large language model (LLM) applications.
VeroTherm™およびVeroFlex™リフローシステムは、それぞれウェハーおよびパネル向けに、フラックスレスはんだとマスリフロー技術を用いた低真空環境下で、10μm未満のマイクロバンプ構造を実現するソリューションを提供するよう設計されています。これらのシステムは、積層ロジックや高帯域幅メモリー（HBM）など、AIアクセラレーターの中核となる先端パッケージングアーキテクチャの製造において、優れた品質と総保有コスト（CoO）の改善を可能にします。
YES社長のRezwan・Lateefは、「VeroTherm™およびVeroFlex™プロセスプラットフォームは、超微細ピッチのインターコネクトを必要とする先端パッケージング用途において、熱均一性と機械的信頼性を高めます。当社の検証試験では、ピッチが10μmという厳しい条件下でも、バンプ破断や構造崩壊の兆候が一切見られないゼロディフェクトのリフロー性能を確認しました」と述べました。さらに、「当社独自のプロセスアーキテクチャは、決定論的なはんだ接合形成を実現するとともに、統計的なプロセス管理指標を維持し、最適化された単位コストでの量産を可能にします。今回の採用事例は、ヘテロジニアス・インテグレーションおよび3D-IC実装市場における当社ソリューションの大きな技術的裏付けとなります」と付け加えました。
YESのセールス＆ビジネスデベロップメント担当シニアバイスプレジデント兼アジアプレジデントのアレックス・チャウは、「当社のVeroTherm™およびVeroFlex製品ファミリーは、真空プロセスにより酸化膜を除去し、従来の大気圧システムで見られる欠陥のない優れたバンプ形状にリフローする独自の機能を提供します。これらの装置は、SnAg凝集欠陥や粗い表面を排除するとともに、金属間化合物層を最小限に抑え、10μm未満のピッチにも対応します」と述べました。
YESについて
YESは、材料および界面工学の分野における最先端技術を提供していることで知られており、さまざまな用途や市場に対応しています。同社の顧客には、AIやHPC向けの最先端パッケージング、メモリシステム、ライフサイエンスなど、さまざまな分野における次世代ソリューションの開発を牽引する市場リーダーが名を連ねています。YESは、ウェハーやガラスパネル向けの半導体先進パッケージング・ソリューションのための、最先端かつコストに優れた大量生産設備を製造するトップメーカーであり、同社の製品ラインナップには、真空硬化、コーティング、アニーリングツール、フラックスレスリフロー装置、微細孔付きガラス基板、キャビティエッチング、無電解デポジションツールなど、半導体業界向けの製品が含まれています。同社はカリフォルニア州フリーモントに本社を構え、急速にグローバルな存在感を高めています。 詳細については、YES.tech (リンク ») をご覧ください (リンク ») 。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
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Contacts
Media contact:
Alex Chow
Achow@yes.tech mailto:Achow@yes.tech
Source: Yield Engineering Systems
カリフォルニア州フリーモント--(BUSINESS WIRE (リンク ») )-- （ビジネスワイヤ） -- イールド・エンジニアリング・システム（YES）は、AIおよびHPCシステム向けの先端パッケージング用プロセス装置の主要プロバイダーとして、世界有数のメモリーメーカーからVeroTherm™およびVeroFlex™リフローシステムを複数受注したことを発表しました。これらのシステムは、大規模言語モデル（LLM）アプリケーションに対応する高性能のAIアクセラレーター向けに、メモリチップとロジック半導体の3D積層を可能にします。
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VeroTherm™ and VeroFlex™ Systems by YES. These systems will enable 3D stacking of memory and logic chips for high-performance AI accelerators, driven by large language model (LLM) applications.
VeroTherm™およびVeroFlex™リフローシステムは、それぞれウェハーおよびパネル向けに、フラックスレスはんだとマスリフロー技術を用いた低真空環境下で、10μm未満のマイクロバンプ構造を実現するソリューションを提供するよう設計されています。これらのシステムは、積層ロジックや高帯域幅メモリー（HBM）など、AIアクセラレーターの中核となる先端パッケージングアーキテクチャの製造において、優れた品質と総保有コスト（CoO）の改善を可能にします。
YES社長のRezwan・Lateefは、「VeroTherm™およびVeroFlex™プロセスプラットフォームは、超微細ピッチのインターコネクトを必要とする先端パッケージング用途において、熱均一性と機械的信頼性を高めます。当社の検証試験では、ピッチが10μmという厳しい条件下でも、バンプ破断や構造崩壊の兆候が一切見られないゼロディフェクトのリフロー性能を確認しました」と述べました。さらに、「当社独自のプロセスアーキテクチャは、決定論的なはんだ接合形成を実現するとともに、統計的なプロセス管理指標を維持し、最適化された単位コストでの量産を可能にします。今回の採用事例は、ヘテロジニアス・インテグレーションおよび3D-IC実装市場における当社ソリューションの大きな技術的裏付けとなります」と付け加えました。
YESのセールス＆ビジネスデベロップメント担当シニアバイスプレジデント兼アジアプレジデントのアレックス・チャウは、「当社のVeroTherm™およびVeroFlex製品ファミリーは、真空プロセスにより酸化膜を除去し、従来の大気圧システムで見られる欠陥のない優れたバンプ形状にリフローする独自の機能を提供します。これらの装置は、SnAg凝集欠陥や粗い表面を排除するとともに、金属間化合物層を最小限に抑え、10μm未満のピッチにも対応します」と述べました。
YESについて
YESは、材料および界面工学の分野における最先端技術を提供していることで知られており、さまざまな用途や市場に対応しています。同社の顧客には、AIやHPC向けの最先端パッケージング、メモリシステム、ライフサイエンスなど、さまざまな分野における次世代ソリューションの開発を牽引する市場リーダーが名を連ねています。YESは、ウェハーやガラスパネル向けの半導体先進パッケージング・ソリューションのための、最先端かつコストに優れた大量生産設備を製造するトップメーカーであり、同社の製品ラインナップには、真空硬化、コーティング、アニーリングツール、フラックスレスリフロー装置、微細孔付きガラス基板、キャビティエッチング、無電解デポジションツールなど、半導体業界向けの製品が含まれています。同社はカリフォルニア州フリーモントに本社を構え、急速にグローバルな存在感を高めています。 詳細については、YES.tech (リンク ») をご覧ください (リンク ») 。
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