TSMC車載向けプラットフォームで組込みフラッシュIP「G1」をリリース（AEC-Q100 Grade 1認定)

株式会社フローディア、TSMC Gen3 180BCDプラットフォーム上で車載向け組込みのフラッシュメモリIPをリリース

 

組込みフラッシュIP（eFlash IP）開発企業の株式会社フローディア（本社：東京都小平市、代表取締役社長：奥山幸祐、以下「フローディア」）は、TSMCの180BCD Gen3プロセスプラットフォーム上に実装した最新の車載向けeFlash IP「G1」のリリースを発表しました。今回リリースしたIPは、次世代の自動車アプリケーションが求める厳しい信頼性および性能要件を満たすように設計されています。

G1車載向けeFlash IPは、SONOS技術をベースとした256KBのプログラムフラッシュマクロと1KBのデータフラッシュマクロを統合し、車載ICに高信頼かつ低コストな不揮発性メモリソリューションを提供します。G1のeFlashプロセスは、TSMC標準の180BCD Gen3プラットフォームに対し、オリジナルのPDK(半導体設計用のツールキット）を一切変更することなく追加されます。そのため、お客様は認定済みの同一PDKをそのまま使用しながら、組込みフラッシュを設計にシームレスに統合できます。本IPは、TSMC 180BCD Gen3においてAEC-Q100 Grade 1のフル認定を取得しており、過酷な車載動作条件下での堅牢性と量産対応への準備が整っていることを実証しています。

eFlash IPは以下で構成されます。

コード格納用の256KBプログラムフラッシュ（PFlash）

10万回のプログラム/消去耐久性を備えた1KBデータフラッシュ（DFlash）。データ格納においてEEPROM相当の機能を実現

PFlashとDFlashはいずれも高速動作に最適化されており、最大消去時間20ms未満を達成しています。これにより、車載システムにおけるシステム性能の大幅な向上と、ファームウェア更新時間の短縮を実現します。

システム統合を簡素化するため、G1 eFlash IPは内蔵チャージポンプを備えており、外部の高電圧回路を不要とします。さらに、PFlashとDFlashはいずれもECCインターフェース用に8ビットのパリティを備えており、デバイスのライフタイムを通じて高いデータ完全性と信頼性を確保します。

実績あるSONOSベースのアーキテクチャ、高速消去性能、車載向けのフル認定を備えたフローディアのG1 eFlash IP（TSMC 180BCD Gen3）は、パワーマネジメントIC、モータドライバ、ボディエレクトロニクスをはじめとする幅広い車載アプリケーションに適しています。





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【 株式会社フローディアについて 】

日立製作所やルネサステクノロジ（現ルネサスエレクトロニクス）で、組込み型不揮発性メモリを20年以上にわたり開発していた経験豊富なエンジニア達が独立して2011年に設立しました。マイクロコントローラ、パワー半導体、センサーなどの半導体デバイスに使われる組込み型の不揮発性（電源を切っても記憶内容を維持する）メモリ製造に必要な工程や回路設計を、知的財産（IP）として半導体メーカーにライセンス提供する事業を展開しています。

 

 

 

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