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NECと東芝、256Mビット級のMRAM実現に向けた基盤技術を共同開発
NECと東芝は、256MビットクラスのMagnetic Random Access Memory実現に必要な基盤技術を発表した。両社は、共同開発した技術を用いて記憶容量16MビットのMRAMを試作し、256Mビットクラスまで高集積化した場合でも作動することを検証した。
情報掲載日： 2006-06-06 22:01
NECと東芝、256Mビット級のMRAM実現に向けた基盤技術を共同開発
NECと東芝は、256MビットクラスのMagnetic Random Access Memory実現に必要な基盤技術を発表した。両社は、共同開発した技術を用いて記憶容量16MビットのMRAMを試作し、256Mビットクラスまで高集積化した場合でも作動することを検証した。
情報掲載日： 2006-06-06 22:01
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