炭化ケイ素パワー半導体の市場規模、2029年に37億米ドル到達見込み

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「炭化ケイ素パワー半導体の世界市場レポート2025年」（The Business Research Company）の販売を9月25日より開始いたしました。

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炭化ケイ素（SiC）パワー半導体は、従来のシリコンに代わり、半導体材料として炭化ケイ素を利用する半導体デバイスの一種です。これらのデバイスは、シリコンに比べて高い耐圧、低いスイッチング損失、高温動作環境での優れた性能など、数多くの利点を有するため、主にパワーエレクトロニクス分野で採用されています。

主な炭化ケイ素パワー半導体の種類には、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）、ハイブリッドモジュール、ショットキーバリアダイオード（SBD）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）、ピンダイオード、接合型電界効果トランジスタ（JFET）、その他の特殊タイプが含まれます。MOSFETは三端子デバイスであり、電流は二つの端子（ソースとドレイン）間で流れ、第三の端子（ゲート）が電流の流れを制御します。炭化ケイ素パワー半導体は、301-900 V、 901-1700 V、1701 V以上といった様々な電圧範囲で分類され、SiCエピタキシャルウェーハやブランクSiCウェーハなど、異なるウェーハタイプで提供されています。これらの半導体は、電気自動車（EV）、太陽光発電、電源装置、産業用モーター駆動装置、電気自動車充電インフラ、高周波（RF）デバイスなど、多様な分野で応用されています。産業、自動車、エネルギー・電力、情報技術・通信、輸送、航空宇宙・防衛など、様々なエンドユーザーに対応しております。

2025年春に急激に高まった米国の関税とそれに伴う貿易摩擦は、電気・電子産業に重大な影響を及ぼしています。半導体、ディスプレイパネル、バッテリーやモーターに不可欠なレアアース金属などの主要部品は、現在、高額な関税の対象となっています。家電メーカーは、激しい競争によりコスト上昇分を消費者に転嫁できず、利益率の縮小に直面しています。一方、産業用電子機器メーカーでは、プリント基板など関税影響部品の不足によるプロジェクト遅延が発生しています。これに対し、企業は組立工程を関税免除国へ移管し、在庫を積み増し、制限材料への依存度を低減する製品設計の見直しを進めています。

炭化ケイ素パワー半導体の市場規模は近年、飛躍的に拡大しております。2024年の12億4000万米ドルからCAGR24.8％で成長し、2025年には15億5000万米ドルに達すると予測されています。過去数年間の成長要因としては、電気自動車充電システムにおけるSiCパワーデバイスの採用、高温環境下でのSiCパワーデバイスの動作、拡大する民生用電子機器産業、電力分野における先進電子部品の活用、自動車および再生可能エネルギー分野の拡大が挙げられます。

炭化ケイ素パワー半導体の市場規模は、今後数年間で急激な成長が見込まれます。2029年にはCAGR24.2％で37億米ドルに達する見込みです。予測される成長要因としては、炭化ケイ素ディスクリートデバイスの普及、民生用電子機器および無線通信の需要増加、電気自動車の浸透率上昇、省エネルギー型バッテリー駆動携帯機器の需要拡大、ならびに炭化ケイ素パワー半導体の登場が挙げられます。予測される主な動向としては、技術進歩、技術獲得を目指す新規参入企業、イノベーションの急増、製品革新、新技術導入などが挙げられます。


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