パワーGaNデバイスの市場規模、2035年に65億米ドル到達予測

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐）は、市場調査レポート「パワーGaNデバイス市場のビジネスチャンス、成長要因、業界動向分析、および2026年～2035年の予測」（Global Market Insights Inc.）の販売を8月24日より開始いたしました。グローバルインフォメーションはGlobal Market Insights Inc.の日本における正規代理店です。

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パワーGaNデバイスの市場規模は、2025年の5億2050万米ドルからCAGR27.9％で成長し、2035年には65億米ドルに達すると予測されています。

同市場の成長は、シリコンに比べてGaNが持つ優れた性能特性、すなわち、より高い電子移動度、同等のダイサイズにおけるオン抵抗の低減、および高周波スイッチング能力の向上などに牽引されています。これらの利点は、高電力密度、エネルギー効率の向上、部品サイズの小型化といった、システムレベルでの具体的なメリットにつながり、次世代のコンパクトで高性能な電力システムを実現しています。GaNベースのデバイスは、より効率的な車載充電器や小型のDC-DC変換システムの普及を促進しており、自動車業界における、より軽量で統合された電気アーキテクチャへの移行を支えています。民生用電子機器分野では、超コンパクトかつ高出力の充電ソリューションに対する需要の高まりが、GaNデバイスの採用をさらに加速させています。シリコンベースのソリューションは、熱効率、電力密度、コンパクトな設計という複合的な要件を満たすのに苦戦を強いら、GaNデバイスは複数の業界において好まれる代替手段となりつつあります。データセンター、再生可能エネルギーシステム、産業用パワーエレクトロニクスにおける利用拡大は、長期的な需要を後押しし、世界のパワー半導体市場全体における技術の置き換えを加速させています。

2025年には、ディスクリートパワーGaNデバイスセグメントが市場シェアの53.5％を占め、複数の応用分野におけるその圧倒的な地位を浮き彫りにしました。このセグメントは、民生用充電機器、低～中出力の産業用システム、および初期段階の電気自動車用パワーアプリケーションでの広範な利用により、引き続き主導的な地位を維持しています。ディスクリートGaNコンポーネントは、エンジニアに回路設計におけるより大きな柔軟性を提供し、基板レベルでのスイッチング性能、熱特性、および電力効率の最適化を可能にします。その適応性と統合の容易さから、従来のシリコンベースの設計からGaN対応アーキテクチャへの移行を進める企業にとって、好ましい選択肢となっています。

低電圧（200V）および中電圧（200V～600V）セグメントは、2025年に40％のシェアを占め、2億米ドルの市場規模を生み出しました。この分布は、民生用電子機器の充電システムと産業用電源アプリケーションの両方における堅調な採用を反映しています。低電圧GaNデバイスは、コンパクトな充電システムや携帯型電子機器で広く使用されています。一方、中電圧デバイスは、電力変換、モーター駆動、自動車システムでの採用が拡大しています。メーカー各社が次世代パワーエレクトロニクスにおいて、高効率化、エネルギー損失の低減、およびコンパクトなシステム設計を優先しているため、両カテゴリーにわたる需要は引き続き拡大しています。


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