IBMは3月24日、同社の研究者らが、1つの「カーボン・ナノチューブ」分子を中心とする完全な電子集積回路の製作に初めて成功したことを発表した。
カーボン・ナノチューブは、現在標準となっているシリコン半導体を上回るパフォーマンスを実現することが期待されている新素材。この研究は、3月24日号の「サイエンス（Science）」誌に掲載されているIBMの論文で発表された。
今回IBMチームは、リング発振器の製作に成功。通常の半導体プロセスを使用して製作し、1つの分子を回路の全部品の基盤として使用していることが特長だ。IBMチームでは、1つのナノチューブを中心とする完全な集積回路を製作することで、複数のナノチューブを使用したこれまでの回路の100万倍に近い回路速度を観測している。
なお、それでも現在シリコン・チップで実現されている速度には及んでいない。IBMチームでは、新しいナノファブリケーション・プロセスによって、最終的にはカーボン・ナノチューブ素子の潜在的なパフォーマンスの優位性が明らかになるとしている。
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