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HGST、超高速SSDのデモを披露へ--300万IOPSを実現

Nick Heath (TechRepublic) 翻訳校正: 編集部

2014-08-05 13:25

 Wetern Digital傘下で企業向けストレージを製造するHGSTは米国時間8月4日、カリフォルニア州サンタクララで開催されるFlash Memory Summit 2014において、超高速のソリッドステートドライブ(SSD)のデモンストレーションを実施する予定であると発表した。

 HGSTによると、このSSDはQueued環境であれば512バイトのランダムリードで300万IOPS、Non-Queuedでのランダムリードアクセス時のレイテンシは1.5マイクロ秒(100万分の1秒)となっているという。

 このようなデータアクセス速度は、既存のSSDアーキテクチャとNAND型フラッシュメモリでは達成できないものだ。

 こういったパフォーマンス向上は、相転移素材(PCM)で製造されたドライブと、レイテンシを低下させる新しいインターフェースプロトコルを組み合わせることで実現されている。

 PCMは高密度かつ不揮発性を有したメモリを実現するための素材の1つであり、これを利用したメモリはNAND型のフラッシュメモリに比べるとデータアクセスが高速であり、読み込みアクセスの時間を2桁以上短縮できる。

 HGSTのSSDに使用されているメモリは、線幅45ナノメートルのチップ内に容量1GビットのPCMコンポーネントを搭載したもので構成されている。HGSTはこれらのチップを複数組み合わせて、フルハイト/フルレングスのPCIe Gen 2x4 SSDカードを実現している。

 こういった新たなメモリテクノロジの能力を引き出すために、HGSTはレイテンシの低減化を図れるインターフェースアーキテクチャも開発した。これは基盤となる特定のメモリテクノロジとは干渉しないものとなっている。

この記事は海外CBS Interactive発の記事を朝日インタラクティブが日本向けに編集したものです。

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