韓国テクノロジー大手のサムスンは現地時間12月21日、12nmクラス製造プロセスによるDDR5（Double Data Rate 5）のDRAMを開発したと発表した。
提供：Samsung
同社によると、12nmプロセスによるこの16GbのDDR5 DRAMは、CPUメーカーであるAMDとの互換性検証が完了しており、2023年に量産を開始する計画だという。
今回の同社の発表で異例な点は、使用した製造プロセスの数値が「12」と明記されたことだ。
SKハイニックスやMicron Technologyも含めて、メモリーチップメーカーはほとんどの場合「10nmクラス」という用語を使ってきた。これはサイズが10～19nmの範囲にある製造プロセスを示す業界用語であり、一の位の数値は明記されていない。
サムスンの最新DRAMは、これまで同社が使っていた言い方をするなら、「第5世代の10nmクラス製造プロセス」で作られている。今回「12nmクラス」としているのは、競合他社の10nmクラスよりも進んでいることを強調するためだろう。
ただ、チップの製造企業はさまざまであり、マーケティングに使われる製造プロセスの名称が何であれ、実際のトランジスターのサイズと密度を検査なしに知ることは困難であり、企業間で大きく異なる可能性がある。
それでも、同社が用語を変更したということは、すでに競争が激しいメモリー市場が世界的なインフレにより沈滞するなか、同社は自社のプレミアム製品が競合他社より優れていることを2023年に積極的に宣伝していく予定であるということなのだろう。
同社はこのDRAMについて、比誘電率が高い新素材を用いてキャパシター容量を増やし、新しい独自の設計技術を用いているとしている。また、極端紫外線リソグラフィ（EUVリソグラフィ）を用いて「業界最高」の密度を達成し、ウェハーの生産性が前世代のDRAMと比べて20％上昇したとしている。
最大速度は7.2Gbpsであり、1秒間に60GBのデータを処理できる計算になる。消費電力は前世代から23％改善している。
同社は、データセンター、人工知能（AI）、高性能コンピューティング（HPC）などの用途向けに、このDRAMの製品ラインアップをさらに広げていく考えだ。
この記事は海外Red Ventures発の記事を朝日インタラクティブが日本向けに編集したものです。
